HGTD7N60C3Sの技術仕様
Harris Corporation - HGTD7N60C3S技術仕様、属性、パラメーター、およびHarris Corporation - HGTD7N60C3S仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Harris Corporation | |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 600 V | |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2V @ 15V, 7A | |
| 試験条件 | - | |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | - | |
| エネルギーの切り替え | - | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA | |
| 逆回復時間（trrの） | - | |
| 電力 - 最大 | 60 W |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力タイプ | Standard | |
| IGBTタイプ | - | |
| ゲートチャージ | 23 nC | |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 56 A | |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 14 A |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはHarris Corporation HGTD7N60C3Sと同様の仕様
| 製品属性 | |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | HGTD7N60C3S | HGTG11N120CND | HGTG11N120CND | HGT1S7N60C3DS9A |
| メーカー | Harris Corporation | onsemi | Fairchild Semiconductor | Harris Corporation |
| IGBTタイプ | - | NPT | NPT | - |
| 電力 - 最大 | 60 W | 298 W | 298 W | 60 W |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | - | 23ns/180ns | 23ns/180ns | - |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 14 A | 43 A | 43 A | 14 A |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 56 A | 80 A | 80 A | 56 A |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA | TO-247-3 | TO-247 | TO-263AB |
| 逆回復時間（trrの） | - | 70 ns | 70 ns | 37 ns |
| 入力タイプ | Standard | Standard | Standard | Standard |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 600 V | 1200 V | 1200 V | 600 V |
| エネルギーの切り替え | - | 950µJ (on), 1.3mJ (off) | 950µJ (on), 1.3mJ (off) | 165µJ (on), 600µJ (off) |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2V @ 15V, 7A | 2.4V @ 15V, 11A | 2.4V @ 15V, 11A | 2V @ 15V, 7A |
| 試験条件 | - | 960V, 11A, 10Ohm, 15V | 960V, 11A, 10Ohm, 15V | 480V, 7A, 50Ohm, 15V |
| ゲートチャージ | 23 nC | 100 nC | 100 nC | 23 nC |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
HGTG11N120CNDonsemiIGBT NPT 1200V 43A TO247-3HGTG11N120CNDFairchild Semiconductor1200V, NPT IGBTHGT1S7N60C3DS9AHarris Corporation14A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT W/HGT1S7N60C3DFairchild SemiconductorIGBT, 14A, 600V, N-CHANNEL
HGTD6N50E1Intersil (Renesas Electronics Corporation)
HGTD7N60C3S9AonsemiIGBT 600V 14A TO252AAHGTD8P50G1Harris Corporation8A, 500V P-CHANNEL IGBT
HGT1S7N60C3DS9AonsemiIGBT 600V 14A 60W TO263ABHGT1S7N60C3DSFairchildHGTG11N120CNonsemiIGBT 1200V 43A 298W TO247HGTG11N120CNFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGTG10N120BNDonsemiIGBT NPT 1200V 35A TO247-3HGTD3N60C3SHarris Corporation6A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL IHGTD1N120BNS9AonsemiIGBT 1200V 5.3A 60W TO252AAHGTG12N60A4onsemiIGBT 600V 54A 167W TO247HGT4E20N60A4DSIntersil (Renesas Electronics Corporation)HGTD1N120BNS 1N120BFairchild (onsemi)HGTD7N60C3S9AFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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