HGTD1N120BNS9Aの技術仕様
onsemi - HGTD1N120BNS9A技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - HGTD1N120BNS9A仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 1200 V | |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2.9V @ 15V, 1A | |
| 試験条件 | 960V, 1A, 82Ohm, 15V | |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 15ns/67ns | |
| エネルギーの切り替え | 70µJ (on), 90µJ (off) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA | |
| シリーズ | - | |
| 電力 - 最大 | 60 W | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力タイプ | Standard | |
| IGBTタイプ | NPT | |
| ゲートチャージ | 14 nC | |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 6 A | |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 5.3 A | |
| 基本製品番号 | HGTD1N120 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi HGTD1N120BNS9Aと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | HGTD1N120BNS9A | HGT1S7N60C3D | HGT1S7N60C3DS9A | HGT1S7N60B3DS |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | Harris Corporation |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 5.3 A | 14 A | 14 A | 14 A |
| ゲートチャージ | 14 nC | 38 nC | 23 nC | 30 nC |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 15ns/67ns | - | - | 26ns/130ns |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力タイプ | Standard | Standard | Standard | Standard |
| エネルギーの切り替え | 70µJ (on), 90µJ (off) | - | 165µJ (on), 600µJ (off) | 160µJ (on), 120µJ (off) |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2.9V @ 15V, 1A | 2V @ 15V, 7A | 2V @ 15V, 7A | 2.1V @ 15V, 7A |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 試験条件 | 960V, 1A, 82Ohm, 15V | - | 480V, 7A, 50Ohm, 15V | 480V, 7A, 50Ohm, 15V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA | I2PAK (TO-262) | D²PAK (TO-263) | TO-263AB |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| IGBTタイプ | NPT | - | - | - |
| 電力 - 最大 | 60 W | 60 W | 60 W | 60 W |
| 基本製品番号 | HGTD1N120 | - | HGT1S7N60 | - |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 6 A | 56 A | 56 A | 56 A |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 1200 V | 600 V | 600 V | 600 V |
HGTD1N120BNS9A - onsemiのHGTD1N120BNS9A PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
HGT1S7N60C3DFairchild SemiconductorIGBT, 14A, 600V, N-CHANNELHGT1S7N60C3DS9AonsemiIGBT 600V 14A 60W TO263ABHGT1S7N60C3DHarris CorporationHGT1S7N60 - N-CHANNEL INSULATEDHGT1S7N60B3DSHarris Corporation14 A, 600 V, UFS N-CHANNEL IGBTHGTD7N60C3SHarris Corporation600 V, 14 A, N-CHANNEL IGBT
HGTG11N120CNonsemiIGBT 1200V 43A 298W TO247HGTD1N120BNS 1N120BFairchild (onsemi)HGT1S7N60C3DSFairchildHGT1S7N60B3Harris Corporation14A, 600V, N-CHANNEL IGBT
HGT4E20N60A4DSIntersil (Renesas Electronics Corporation)HGTD8P50G1Harris Corporation8A, 500V P-CHANNEL IGBTHGTD6N50E1Intersil (Renesas Electronics Corporation)HGTG11N120CNFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGT1S7N60C3DS9AHarris Corporation14A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT W/HGTG10N120BNDonsemiIGBT NPT 1200V 35A TO247-3HGTD3N60C3SHarris Corporation6A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL IHGTD7N60C3S9AFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTD7N60C3S9AonsemiIGBT 600V 14A TO252AA| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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