HGTD7N60C3S9Aの技術仕様
onsemi - HGTD7N60C3S9A技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - HGTD7N60C3S9A仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 600 V | |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2V @ 15V, 7A | |
| 試験条件 | - | |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | - | |
| エネルギーの切り替え | 165µJ (on), 600µJ (off) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA | |
| シリーズ | - | |
| 電力 - 最大 | 60 W | |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力タイプ | Standard | |
| IGBTタイプ | - | |
| ゲートチャージ | 23 nC | |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 56 A | |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 14 A | |
| 基本製品番号 | HGTD7N60 |
右側の三つのパーツはonsemi HGTD7N60C3S9Aと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | HGTD7N60C3S9A | HGT1S7N60C3DS9A | HGTG10N120BND | HGTG12N60A4 |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 56 A | 56 A | 80 A | 96 A |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2V @ 15V, 7A | 2V @ 15V, 7A | 2.7V @ 15V, 10A | 2.7V @ 15V, 12A |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube |
| 入力タイプ | Standard | Standard | Standard | Standard |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電力 - 最大 | 60 W | 60 W | 298 W | 167 W |
| 基本製品番号 | HGTD7N60 | HGT1S7N60 | HGTG10N120 | HGTG12N60 |
| ゲートチャージ | 23 nC | 23 nC | 100 nC | 78 nC |
| エネルギーの切り替え | 165µJ (on), 600µJ (off) | 165µJ (on), 600µJ (off) | 850µJ (on), 800µJ (off) | 55µJ (on), 50µJ (off) |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 600 V | 600 V | 1200 V | 600 V |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-247-3 | TO-247-3 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA | D²PAK (TO-263) | TO-247-3 | TO-247-3 |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | - | - | 23ns/165ns | 17ns/96ns |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 14 A | 14 A | 35 A | 54 A |
| 試験条件 | - | 480V, 7A, 50Ohm, 15V | 960V, 10A, 10Ohm, 15V | 390V, 12A, 10Ohm, 15V |
| IGBTタイプ | - | - | NPT | - |
HGTD7N60C3S9A - onsemiのHGTD7N60C3S9A PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
HGT1S7N60C3DS9AonsemiIGBT 600V 14A 60W TO263ABHGTG10N120BNDonsemiIGBT NPT 1200V 35A TO247-3HGTG12N60A4onsemiIGBT 600V 54A 167W TO247
HGTD3N60C3SHarris Corporation6A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL I
HGTG11N120CNFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGTD8P50G1Harris Corporation8A, 500V P-CHANNEL IGBTHGTD1N120BNS9AonsemiIGBT 1200V 5.3A 60W TO252AAHGTG11N120CNDonsemiIGBT NPT 1200V 43A TO247-3HGT1S7N60C3DS9AHarris Corporation14A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT W/HGT1S7N60C3DFairchild SemiconductorIGBT, 14A, 600V, N-CHANNELHGTD7N60C3S9AFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGT1S7N60C3DHarris CorporationHGT1S7N60 - N-CHANNEL INSULATEDHGTG12N60A4DonsemiIGBT 600V 54A 167W TO247HGTD7N60C3SHarris Corporation600 V, 14 A, N-CHANNEL IGBTHGTG12N60A4Fairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGTG11N120CNonsemiIGBT 1200V 43A 298W TO247HGTG11N120CNDFairchild Semiconductor1200V, NPT IGBT
HGT4E20N60A4DSIntersil (Renesas Electronics Corporation)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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