HGTG11N120CNDの技術仕様
onsemi - HGTG11N120CND技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - HGTG11N120CND仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 1200 V | |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2.4V @ 15V, 11A | |
| 試験条件 | 960V, 11A, 10Ohm, 15V | |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 23ns/180ns | |
| エネルギーの切り替え | 950µJ (on), 1.3mJ (off) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 | |
| シリーズ | - | |
| 逆回復時間（trrの） | 70 ns | |
| 電力 - 最大 | 298 W |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube | |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力タイプ | Standard | |
| IGBTタイプ | NPT | |
| ゲートチャージ | 100 nC | |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 80 A | |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 43 A | |
| 基本製品番号 | HGTG11 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | Not Applicable |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi HGTG11N120CNDと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | HGTG11N120CND | HGTG12N60A4 | HGTD8P50G1 | HGTG18N120BN |
| メーカー | onsemi | onsemi | Harris Corporation | Fairchild Semiconductor |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 23ns/180ns | 17ns/96ns | - | 23ns/170ns |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 80 A | 96 A | 18 A | 165 A |
| 電力 - 最大 | 298 W | 167 W | 66 W | 390 W |
| エネルギーの切り替え | 950µJ (on), 1.3mJ (off) | 55µJ (on), 50µJ (off) | - | 800µJ (on), 1.8mJ (off) |
| 試験条件 | 960V, 11A, 10Ohm, 15V | 390V, 12A, 10Ohm, 15V | - | 960V, 18A, 3Ohm, 15V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-247-3 |
| 基本製品番号 | HGTG11 | HGTG12N60 | - | HGTG18 |
| シリーズ | - | - | - | - |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2.4V @ 15V, 11A | 2.7V @ 15V, 12A | 3.7V @ 15V, 8A | 2.7V @ 15V, 18A |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 | TO-247-3 | I-PAK | TO-247-3 |
| 逆回復時間（trrの） | 70 ns | - | - | - |
| IGBTタイプ | NPT | - | - | NPT |
| 入力タイプ | Standard | Standard | Standard | Standard |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 43 A | 54 A | 12 A | 54 A |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 1200 V | 600 V | 500 V | 1200 V |
| ゲートチャージ | 100 nC | 78 nC | 30 nC | 165 nC |
| パッケージ | Tube | Tube | Bulk | Bulk |
HGTG11N120CND - onsemiのHGTG11N120CND PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
HGTG12N60A4onsemiIGBT 600V 54A 167W TO247HGTD8P50G1Harris Corporation8A, 500V P-CHANNEL IGBTHGTG18N120BNFairchild SemiconductorIGBT, 54A, 1200V, N-CHANNEL, TO-HGTD7N60C3S9AFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOHGTG11N120CNonsemiIGBT 1200V 43A 298W TO247HGTD7N60C3SHarris Corporation600 V, 14 A, N-CHANNEL IGBTHGTG18N120BNDonsemiIGBT 1200V 54A 390W TO247
HGTD7N60C3S9AonsemiIGBT 600V 14A TO252AAHGTG18N120Fairchild (onsemi)HGTG20N120C3DLINTERSIHGTG18N120BNonsemiIGBT 1200V 54A 390W TO247HGTG12N60B3DITSHGTG11N120CNFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGTG12N60A4Fairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGTG11N120CNDFairchild Semiconductor1200V, NPT IGBTHGTG12N60A4DonsemiIGBT 600V 54A 167W TO247HGTG10N120BNDonsemiIGBT NPT 1200V 35A TO247-3
HGTD6N50E1Intersil (Renesas Electronics Corporation)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をショッピングカートに追加してください。すぐにご連絡いたします。