HGT1S7N60C3DS9Aの技術仕様
Harris Corporation - HGT1S7N60C3DS9A技術仕様、属性、パラメーター、およびHarris Corporation - HGT1S7N60C3DS9A仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Harris Corporation | |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 600 V | |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2V @ 15V, 7A | |
| 試験条件 | 480V, 7A, 50Ohm, 15V | |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | - | |
| エネルギーの切り替え | 165µJ (on), 600µJ (off) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AB | |
| シリーズ | - | |
| 逆回復時間（trrの） | 37 ns | |
| 電力 - 最大 | 60 W |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Bulk | |
| 運転温度 | - | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力タイプ | Standard | |
| IGBTタイプ | - | |
| ゲートチャージ | 23 nC | |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 56 A | |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 14 A | |
| 基本製品番号 | HGT1S7N60 |
右側の三つのパーツはHarris Corporation HGT1S7N60C3DS9Aと同様の仕様
| 製品属性 | |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | HGT1S7N60C3DS9A | HGTD7N60C3S9A | HGT1S7N60B3 | HGTD1N120BNS9A |
| メーカー | Harris Corporation | onsemi | Harris Corporation | onsemi |
| 入力タイプ | Standard | Standard | Standard | Standard |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2V @ 15V, 7A | 2V @ 15V, 7A | 2.1V @ 15V, 7A | 2.9V @ 15V, 1A |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 600 V | 600 V | 600 V | 1200 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AB | TO-252AA | I2PAK (TO-262) | TO-252AA |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | - | - | 26ns/130ns | 15ns/67ns |
| IGBTタイプ | - | - | - | NPT |
| ゲートチャージ | 23 nC | 23 nC | 30 nC | 14 nC |
| 逆回復時間（trrの） | 37 ns | - | - | - |
| 電力 - 最大 | 60 W | 60 W | 60 W | 60 W |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 基本製品番号 | HGT1S7N60 | HGTD7N60 | - | HGTD1N120 |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| エネルギーの切り替え | 165µJ (on), 600µJ (off) | 165µJ (on), 600µJ (off) | 160µJ (on), 120µJ (off) | 70µJ (on), 90µJ (off) |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 14 A | 14 A | 14 A | 5.3 A |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 試験条件 | 480V, 7A, 50Ohm, 15V | - | 480V, 7A, 50Ohm, 15V | 960V, 1A, 82Ohm, 15V |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 56 A | 56 A | 56 A | 6 A |
| 運転温度 | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
HGT1S7N60C3DHarris CorporationHGT1S7N60 - N-CHANNEL INSULATEDHGTD7N60C3S9AonsemiIGBT 600V 14A TO252AA
HGT1S7N60A4DS9A MOSFairchild (onsemi)HGT1S7N60B3Harris Corporation14A, 600V, N-CHANNEL IGBTHGTD1N120BNS9AonsemiIGBT 1200V 5.3A 60W TO252AAHGT1S7N60A4DS9AFairchild SemiconductorIGBT, 34A, 600V, N-CHANNELHGT1S7N60A4DS.G7N60A4DFairchild (onsemi)
HGTG10N120BNDonsemiIGBT NPT 1200V 35A TO247-3HGTD8P50G1Harris Corporation8A, 500V P-CHANNEL IGBT
HGT1S7N60C3DS9AonsemiIGBT 600V 14A 60W TO263ABHGTD7N60C3SHarris Corporation600 V, 14 A, N-CHANNEL IGBTHGT1S7N60B3DSHarris Corporation14 A, 600 V, UFS N-CHANNEL IGBTHGT1S7N60C3DFairchild SemiconductorIGBT, 14A, 600V, N-CHANNELHGT1S7N60A4DSFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGTD7N60C3S9AFairchild SemiconductorINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
HGT4E20N60A4DSIntersil (Renesas Electronics Corporation)HGT1S7N60A4S9AFairchild (onsemi)HGTD3N60C3SHarris Corporation6A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL I| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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