HGT1S7N60A4DS9Aの技術仕様
Fairchild Semiconductor - HGT1S7N60A4DS9A技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - HGT1S7N60A4DS9A仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 600 V | |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2.7V @ 15V, 7A | |
| 試験条件 | 390V, 7A, 25Ohm, 15V | |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 11ns/100ns | |
| エネルギーの切り替え | 120µJ (on), 60µJ (off) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AB | |
| シリーズ | - | |
| 逆回復時間（trrの） | 34 ns | |
| 電力 - 最大 | 125 W |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| パッケージ | Bulk | |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力タイプ | Standard | |
| IGBTタイプ | - | |
| ゲートチャージ | 60 nC | |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 56 A | |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 34 A |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor HGT1S7N60A4DS9Aと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | HGT1S7N60A4DS9A | HGT1S7N60C3DS9A | HGT1S3N60A4DS9A | HGT1S7N60C3D |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | Harris Corporation | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 56 A | 56 A | 40 A | 56 A |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| ゲートチャージ | 60 nC | 23 nC | 21 nC | 38 nC |
| 電力 - 最大 | 125 W | 60 W | 70 W | 60 W |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-263AB | TO-263AB | D²PAK (TO-263) | I2PAK (TO-262) |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 2.7V @ 15V, 7A | 2V @ 15V, 7A | 2.7V @ 15V, 3A | 2V @ 15V, 7A |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 11ns/100ns | - | 6ns/73ns | - |
| パッケージ | Bulk | Bulk | Tube | Bulk |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 34 A | 14 A | 17 A | 14 A |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 試験条件 | 390V, 7A, 25Ohm, 15V | 480V, 7A, 50Ohm, 15V | 390V, 3A, 50Ohm, 15V | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| エネルギーの切り替え | 120µJ (on), 60µJ (off) | 165µJ (on), 600µJ (off) | 37µJ (on), 25µJ (off) | - |
| IGBTタイプ | - | - | - | - |
| 逆回復時間（trrの） | 34 ns | 37 ns | 29 ns | 25 ns |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| 入力タイプ | Standard | Standard | Standard | Standard |
HGT1S3N60C3DS9AIntersil (Renesas Electronics Corporation)HGT1S7N60C3DS9AHarris Corporation14A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBT W/HGT1S3N60A4DS9AonsemiIGBT 600V 17A 70W D2PAKHGT4E20N60A4DSIntersil (Renesas Electronics Corporation)HGT1S5N120CNDSFairchild (onsemi)HGT1S7N60C3DFairchild SemiconductorIGBT, 14A, 600V, N-CHANNELHGT1S7N60B3DSHarris Corporation14 A, 600 V, UFS N-CHANNEL IGBTHGT1S7N60A4DS9A MOSFairchild (onsemi)HGT1S7N60A4DSonsemiIGBT 600V 34A 125W TO263ABHGT1S7N60C3DS9AonsemiIGBT 600V 14A 60W TO263ABHGT1S3N60A4DSFairchild (onsemi)HGT1S3N60A4DS9AFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBTHGT1S7N60A4S9AFairchild (onsemi)HGT1S3N60B3DSHarris Corporation7A, 600V, UFS N-CHANNEL IGBTHGT1S7N60A4DS.G7N60A4DFairchild (onsemi)HGT1S7N60C3DHarris CorporationHGT1S7N60 - N-CHANNEL INSULATEDHGT1S7N60B3Harris Corporation14A, 600V, N-CHANNEL IGBTHGT1S7N60A4DSFairchild SemiconductorN-CHANNEL IGBT| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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