1N4151TRの技術仕様
Fairchild Semiconductor - 1N4151TR技術仕様、属性、パラメーター、およびFairchild Semiconductor - 1N4151TR仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Fairchild (onsemi) | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1 V @ 50 mA | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 75 V | |
| 技術 | Standard | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-35 (DO-204AH) | |
| 速度 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| シリーズ | - | |
| 逆回復時間（trrの） | 4 ns |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | DO-204AH, DO-35, Axial | |
| パッケージ | Bulk | |
| 動作温度 - ジャンクション | 175°C (Max) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 50 nA @ 50 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 150mA | |
| Vrと、F @キャパシタンス | 2pF @ 0V, 1MHz |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはFairchild Semiconductor 1N4151TRと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | 1N4151TR | 1N4151 | 1N4247 | 1N4151TR |
| メーカー | Fairchild Semiconductor | NTE Electronics, Inc | Microchip Technology | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-35 (DO-204AH) | DO-35 | A, Axial | DO-35 (DO-204AH) |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 50 nA @ 50 V | 50 nA @ 50 V | 1 µA @ 600 V | 50 nA @ 50 V |
| 動作温度 - ジャンクション | 175°C (Max) | 175°C (Max) | -65°C ~ 175°C | 175°C (Max) |
| パッケージ/ケース | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | A, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Vrと、F @キャパシタンス | 2pF @ 0V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz | - | 2pF @ 0V, 1MHz |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 75 V | 75 V | 600 V | 75 V |
| 逆回復時間（trrの） | 4 ns | 4 ns | 5 µs | 4 ns |
| 速度 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1 V @ 50 mA | 1 V @ 50 mA | 1.3 V @ 3 A | 1 V @ 50 mA |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 150mA | 150mA | 1A | 150mA |
| パッケージ | Bulk | Bag | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 技術 | Standard | Standard | Standard | Standard |
1N415TRElectro-Films (EFI) / Vishay1N4150W-E3-08Vishay
1N4222MicrosemiIGBT Module1N4151NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 75V 150MA DO351N4247Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL1N4151TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 75V 150MA DO351N4151Diotec SemiconductorDIODE GEN PURP 50V 200MA DO351N4151WPANJIT1N4247NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL1N4150WMSV
1N4151Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
1N4151onsemiDIODE GEN PURP 75V 150MA DO351N4249Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
1N4151W-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123
1N4151Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 75V 150MA DO351N4151TRonsemiDIODE GEN PURP 75V 150MA DO351N4248-E3/54Electro-Films (EFI) / Vishay1N4249NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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