画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
- 高速オプション
- 支払方法
1N4151TR - onsemi
- メーカー 部品型番
- 1N4151TR
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-1N4151TR
- ECADモデル
- モデルの説明
- DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
- パッケージ
- DO-204AH, DO-35, Axial
- データシート
1N4151TR.pdf
- 認定
- 在庫あり: 4770
1N4151TRの技術仕様
onsemi - 1N4151TR技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - 1N4151TR仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1 V @ 50 mA | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 75 V | |
| 技術 | Standard | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-35 | |
| 速度 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| シリーズ | - | |
| 逆回復時間（trrの） | 4 ns |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | DO-204AH, DO-35, Axial | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 - ジャンクション | 175°C (Max) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 50 nA @ 50 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 150mA | |
| Vrと、F @キャパシタンス | 2pF @ 0V, 1MHz | |
| 基本製品番号 | 1N4151 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi 1N4151TRと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | 1N4151TR | 1N4151 | 1N4151 | 1N4247 |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | Microchip Technology |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk | Bulk |
| パッケージ/ケース | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | A, Axial |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 150mA | 150mA | 150mA | 1A |
| 技術 | Standard | Standard | Standard | Standard |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-35 | DO-35 (DO-204AH) | DO-35 | A, Axial |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 動作温度 - ジャンクション | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) | -65°C ~ 175°C |
| 基本製品番号 | 1N4151 | - | 1N4151 | 1N4247 |
| 速度 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 50 nA @ 50 V | 50 nA @ 50 V | 50 nA @ 50 V | 1 µA @ 600 V |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1 V @ 50 mA | 1 V @ 50 mA | 1 V @ 50 mA | 1.3 V @ 3 A |
| 逆回復時間（trrの） | 4 ns | 4 ns | 4 ns | 5 µs |
| Vrと、F @キャパシタンス | 2pF @ 0V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz | - |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 75 V | 75 V | 75 V | 600 V |
1N4151Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
1N415TRElectro-Films (EFI) / Vishay1N4151onsemiDIODE GEN PURP 75V 150MA DO351N4247Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
1N4151Diotec SemiconductorDIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
1N4150UR-1Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA1N4247NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL1N4150TRonsemiDIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
1N4151Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 75V 200MA DO351N4151NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 75V 150MA DO351N4150WMSV
1N4222MicrosemiIGBT Module
1N4151W-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 50V 150MA SOD1231N4151WPANJIT1N4248-E3/54Electro-Films (EFI) / Vishay1N4150W-E3-08Vishay1N4151TRFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
1N4151TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 75V 150MA DO35| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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