1N4247の技術仕様
NTE Electronics, Inc - 1N4247技術仕様、属性、パラメーター、およびNTE Electronics, Inc - 1N4247仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | NTE Electronics, Inc. | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.2 V @ 1 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 600 V | |
| 技術 | Standard | |
| サプライヤデバイスパッケージ | Axial | |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | - | |
| 逆回復時間（trrの） | 2 µs |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | Axial | |
| パッケージ | Bag | |
| 動作温度 - ジャンクション | - | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1 µA @ 600 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 1A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | - |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはNTE Electronics, Inc 1N4247と同様の仕様
| 製品属性 | |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | 1N4247 | 1N4151 | 1N4151TR | 1N4247 |
| メーカー | NTE Electronics, Inc | NTE Electronics, Inc | onsemi | Microchip Technology |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 動作温度 - ジャンクション | - | 175°C (Max) | 175°C (Max) | -65°C ~ 175°C |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.2 V @ 1 A | 1 V @ 50 mA | 1 V @ 50 mA | 1.3 V @ 3 A |
| パッケージ | Bag | Bag | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 1A | 150mA | 150mA | 1A |
| 技術 | Standard | Standard | Standard | Standard |
| サプライヤデバイスパッケージ | Axial | DO-35 | DO-35 | A, Axial |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| パッケージ/ケース | Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | A, Axial |
| Vrと、F @キャパシタンス | - | 2pF @ 0V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz | - |
| 逆回復時間（trrの） | 2 µs | 4 ns | 4 ns | 5 µs |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 600 V | 75 V | 75 V | 600 V |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1 µA @ 600 V | 50 nA @ 50 V | 50 nA @ 50 V | 1 µA @ 600 V |
1N4247 - NTE Electronics, Incの1N4247 PDFデータテーブルとNTE Electronics, Incドキュメントをダウンロード
1N4151NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
1N4248-E3/54Electro-Films (EFI) / Vishay1N4151TRonsemiDIODE GEN PURP 75V 150MA DO351N4247Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
1N4151W-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123
1N4436FSMicrochip TechnologySINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIER1N415TRElectro-Films (EFI) / Vishay
1N4222MicrosemiIGBT Module1N4249NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL1N4437FSMicrochip TechnologySTD RECTIFIER1N4404NJS1N4249Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
1N4151TRFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 75V 150MA DO351N4151WPANJIT
1N4151TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 75V 150MA DO351N4151Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 75V 200MA DO351N4436FTMicrochip TechnologySTD RECTIFIER1N4437FTMicrochip TechnologySINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIER| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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