1N4247の技術仕様
Microchip Technology - 1N4247技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - 1N4247仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microchip Technology | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.3 V @ 3 A | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 600 V | |
| 技術 | Standard | |
| サプライヤデバイスパッケージ | A, Axial | |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| シリーズ | - | |
| 逆回復時間（trrの） | 5 µs |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | A, Axial | |
| パッケージ | Bulk | |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1 µA @ 600 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 1A | |
| Vrと、F @キャパシタンス | - | |
| 基本製品番号 | 1N4247 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology 1N4247と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | 1N4247 | 1N4151W-E3-08 | 1N4151TR | 1N4249 |
| メーカー | Microchip Technology | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | NTE Electronics, Inc |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1 µA @ 600 V | 50 nA @ 50 V | 50 nA @ 50 V | 1 µA @ 1000 V |
| 技術 | Standard | Standard | Standard | Standard |
| 逆回復時間（trrの） | 5 µs | 4 ns | 4 ns | 2 µs |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.3 V @ 3 A | 1 V @ 50 mA | 1 V @ 50 mA | 1.2 V @ 1 A |
| 基本製品番号 | 1N4247 | 1N4151 | 1N4151 | - |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 600 V | 50 V | 75 V | 1000 V |
| パッケージ | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bag |
| サプライヤデバイスパッケージ | A, Axial | SOD-123 | DO-35 (DO-204AH) | Axial |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 1A | 150mA | 150mA | 1A |
| 動作温度 - ジャンクション | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 150°C | 175°C (Max) | - |
| Vrと、F @キャパシタンス | - | - | 2pF @ 0V, 1MHz | - |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 速度 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| パッケージ/ケース | A, Axial | SOD-123 | DO-204AH, DO-35, Axial | Axial |
1N4247 - Microchip Technologyの1N4247 PDFデータテーブルとMicrochip Technologyドキュメントをダウンロード
1N4151W-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 50V 150MA SOD1231N4151WPANJIT1N4151TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 75V 150MA DO351N4249NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
1N415TRElectro-Films (EFI) / Vishay
1N4438FSMicrochip TechnologySTD RECTIFIER
1N4151TRFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 75V 150MA DO351N4247NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL1N4436FSMicrochip TechnologySINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIER1N4249Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL1N4437FSMicrochip TechnologySTD RECTIFIER1N4151NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
1N4151TRonsemiDIODE GEN PURP 75V 150MA DO351N4248-E3/54Electro-Films (EFI) / Vishay1N4437FTMicrochip TechnologySINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIER1N4436FTMicrochip TechnologySTD RECTIFIER
1N4222MicrosemiIGBT Module1N4404NJS| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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