1N4151の技術仕様
Diotec Semiconductor - 1N4151技術仕様、属性、パラメーター、およびDiotec Semiconductor - 1N4151仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Diotec Semiconductor | |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1 V @ 50 mA | |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 50 V | |
| 技術 | Standard | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-35 | |
| 速度 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | |
| シリーズ | - | |
| 逆回復時間（trrの） | 4 ns |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ/ケース | DO-204AH, DO-35, Axial | |
| パッケージ | Box | |
| 動作温度 - ジャンクション | -50°C ~ 175°C | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 50 nA @ 50 V | |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 200mA | |
| Vrと、F @キャパシタンス | 4pF @ 0V, 1MHz |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | |
| ECCN | |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはDiotec Semiconductor 1N4151と同様の仕様
| 製品属性 | |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | 1N4151 | 1N4151TR | 1N4151TR | 1N4150TR |
| メーカー | Diotec Semiconductor | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi | onsemi |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 200mA | 150mA | 150mA | 200mA |
| Vrと、F @キャパシタンス | 4pF @ 0V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz | 2pF @ 0V, 1MHz | 2.5pF @ 0V, 1MHz |
| サプライヤデバイスパッケージ | DO-35 | DO-35 (DO-204AH) | DO-35 | DO-35 |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 50 nA @ 50 V | 50 nA @ 50 V | 50 nA @ 50 V | 100 nA @ 50 V |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 50 V | 75 V | 75 V | 50 V |
| 動作温度 - ジャンクション | -50°C ~ 175°C | 175°C (Max) | 175°C (Max) | 175°C (Max) |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| パッケージ/ケース | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial | DO-204AH, DO-35, Axial |
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1 V @ 50 mA | 1 V @ 50 mA | 1 V @ 50 mA | 1 V @ 200 mA |
| パッケージ | Box | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 技術 | Standard | Standard | Standard | Standard |
| 逆回復時間（trrの） | 4 ns | 4 ns | 4 ns | 6 ns |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 速度 | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
1N4151 - Diotec Semiconductorの1N4151 PDFデータテーブルとDiotec Semiconductorドキュメントをダウンロード
1N4222MicrosemiIGBT Module1N4150WMSV1N4151TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 75V 150MA DO351N4151TRonsemiDIODE GEN PURP 75V 150MA DO351N4150TRonsemiDIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
1N4150UR-1Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA1N4151onsemiDIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
1N4151Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 75V 150MA DO351N4151NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 75V 150MA DO35
1N4151W-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123
1N4150-1Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 200MA DO351N4151Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 75V 200MA DO351N4151WPANJIT
1N415TRElectro-Films (EFI) / Vishay1N4150TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 50V 300MA DO351N4151TRFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 75V 150MA DO351N4150W-E3-08Vishay1N4150TRFairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 50V 200MA DO35| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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