SIZ998BDT-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SIZ998BDT-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SIZ998BDT-T1-GE3仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Vishay / Siliconix | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.2V @ 250µA | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-PowerPair® (6x5) | |
シリーズ | TrenchFET® Gen IV | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V | |
電力 - 最大 | 3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc) | |
パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 790pF @ 15V, 2130pF @ 15V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V | |
FET特長 | - | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc) | |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual), Schottky | |
基本製品番号 | SIZ998 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SIZ998BDT-T1-GE3と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | SIZ998BDT-T1-GE3 | SIZF906DT-T1-GE3 | SIZ904DT-T1-GE3 | SIZ980DT-T1-GE3 |
メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V | 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V | 12nC @ 10V | 8.1nC @ 4.5V, 35nC @ 4.5V |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual), Schottky | 2 N-Channel (Half Bridge) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.2V @ 250µA |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc) | 60A (Tc) | 12A, 16A | 20A (Tc), 60A (Tc) |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 790pF @ 15V, 2130pF @ 15V | 2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V | 435pF @ 15V | 930pF @ 15V, 4600pF @ 15V |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TA) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
電力 - 最大 | 3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc) | 38W (Tc), 83W (Tc) | 20W, 33W | 20W, 66W |
シリーズ | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® | TrenchFET® |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V | 30V | 30V | 30V |
FET特長 | - | - | Logic Level Gate | - |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-PowerPair® (6x5) | 8-PowerPair® (6x5) | 6-PowerPair™ | 8-PowerPair® (6x5) |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V | 3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V | 24mOhm @ 7.8A, 10V | 6.7mOhm @ 15A, 10V, 1.6mOhm @ 19A, 10V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
基本製品番号 | SIZ998 | SIZF906 | SIZ904 | SIZ980 |
パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN | 8-PowerWDFN | 6-PowerPair™ | 8-PowerWDFN |
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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