SIZ988DT-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SIZ988DT-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SIZ988DT-T1-GE3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PowerPair® | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7.5mOhm @ 10A, 10V, 4.1mOhm @ 19A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 20.2W, 40W | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40A (Tc), 60A (Tc) | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | SIZ988 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SIZ988DT-T1-GE3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SIZ988DT-T1-GE3 | SIZ998DT-T1-GE3 | SIZ920DT-T1-GE3 | SIZ910DT-T1-GE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN | 8-PowerWDFN | 8-PowerWDFN | 8-PowerWDFN |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7.5mOhm @ 10A, 10V, 4.1mOhm @ 19A, 10V | 6.7mOhm @ 15A, 10V, 2.8mOhm @ 19A, 10V | 7.1mOhm @ 18.9A, 10V | 5.8mOhm @ 20A, 10V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40A (Tc), 60A (Tc) | 20A (Tc), 60A (Tc) | 40A | 40A |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual), Schottky | 2 N-Channel (Half Bridge) | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 電力 - 最大 | 20.2W, 40W | 20.2W, 32.9W | 39W, 100W | 48W, 100W |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 30V | 30V | 30V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET特長 | - | - | - | Logic Level Gate |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PowerPair® | 8-PowerPair® (6x5) | 8-PowerPair® (6x5) | 8-PowerPair® (6x5) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.2V @ 250µA |
| シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| 基本製品番号 | SIZ988 | SIZ998 | SIZ920 | SIZ910 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 10.5nC @ 4.5V, 23.1nC @ 4.5V | 8.1nC @ 4.5V, 19.8nC @ 4.5V | 35nC @ 10V | 40nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1000pF @ 15V, 2425pF @ 15V | 930pF @ 15V, 2620pF @ 15V | 1260pF @ 15V | 1500pF @ 15V |
SIZ988DT-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSIZ988DT-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SIZ998DT-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIRSIZB60-4072SHINDENGE
SIZ980BDT-T1-GE3VishaySIZ920DT-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIRSIZF918DT-T1-GE3VishaySIZ910DT-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIRSIZ918DT-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIRSIZ916DT-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySIZ902DT-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIRSIZ904DT-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
SIZB60TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and StoraSIZ916DT-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIRSIZ920DP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySIZB20SHINDENGENSIZ980DT-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIRSIZ998BDT-T1-GE3Vishay SiliconixDUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFETSIZF906DT-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIRSIZ914DT-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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