SIZ900DT-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SIZ900DT-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SIZ900DT-T1-GE3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.4V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-PowerPair™ | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7.2mOhm @ 19.4A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 48W, 100W | |
| パッケージ/ケース | 6-PowerPair™ | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1830pF @ 15V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 45nC @ 10V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 24A, 28A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
| 基本製品番号 | SIZ900 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SIZ900DT-T1-GE3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SIZ900DT-T1-GE3 | SIZ904DT-T1-GE3 | SIZ902DT-T1-GE3 | SIZ728DT-T1-GE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| パッケージ/ケース | 6-PowerPair™ | 6-PowerPair™ | 8-PowerWDFN | 6-PowerPair™ |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 45nC @ 10V | 12nC @ 10V | 21nC @ 10V | 26nC @ 10V |
| 電力 - 最大 | 48W, 100W | 20W, 33W | 29W, 66W | 27W, 48W |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| 基本製品番号 | SIZ900 | SIZ904 | SIZ902 | SIZ728 |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1830pF @ 15V | 435pF @ 15V | 790pF @ 15V | 890pF @ 12.5V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-PowerPair™ | 6-PowerPair™ | 8-PowerPair® (6x5) | 6-PowerPair™ |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.4V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 24A, 28A | 12A, 16A | 16A | 16A, 35A |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Half Bridge) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 30V | 30V | 25V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 7.2mOhm @ 19.4A, 10V | 24mOhm @ 7.8A, 10V | 12mOhm @ 13.8A, 10V | 7.7mOhm @ 18A, 10V |
SIZ900DT-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSIZ900DT-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SIZ900DP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySIZ904DT-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIRSIZ790DT-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySIZ914DT-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySIZ902DT-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIRSIZ920DP-T1-GE3Electro-Films (EFI) / VishaySIZ728DT-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIRSIZ710DT-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySIZ916DT-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySIZ710DT-T1Electro-Films (EFI) / VishaySIZ900DT-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySIZ710DT-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIRSIZ910DT-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIRSIZ730DT-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIRSIZ790DT-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIRSIZ710DT-T1-E3Electro-Films (EFI) / VishaySIZ916DT-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIRSIZ918DT-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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