SIZ916DT-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SIZ916DT-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SIZ916DT-T1-GE3仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Vishay / Siliconix | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.4V @ 250µA | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-PowerPair® (6x5) | |
シリーズ | TrenchFET® | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 6.4mOhm @ 19A, 10V | |
電力 - 最大 | 22.7W, 100W | |
パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1208pF @ 15V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 26nC @ 10V | |
FET特長 | - | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 16A, 40A | |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
基本製品番号 | SIZ916 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SIZ916DT-T1-GE3と同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | SIZ916DT-T1-GE3 | SIZ730DT-T1-GE3 | SIZ998BDT-T1-GE3 | SIZ900DT-T1-GE3 |
メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.4V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.4V @ 250µA |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-PowerPair® (6x5) | 6-PowerPair™ | 8-PowerPair® (6x5) | 6-PowerPair™ |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 16A, 40A | 16A, 35A | 23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc) | 24A, 28A |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V | 30V | 30V | 30V |
FET特長 | - | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 6.4mOhm @ 19A, 10V | 9.3mOhm @ 15A, 10V | 4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V | 7.2mOhm @ 19.4A, 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1208pF @ 15V | 830pF @ 15V | 790pF @ 15V, 2130pF @ 15V | 1830pF @ 15V |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 26nC @ 10V | 24nC @ 10V | 18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V | 45nC @ 10V |
基本製品番号 | SIZ916 | SIZ730 | SIZ998 | SIZ900 |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Half Bridge) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 2 N-Channel (Dual), Schottky | 2 N-Channel (Half Bridge) |
パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN | 6-PowerPair™ | 8-PowerWDFN | 6-PowerPair™ |
電力 - 最大 | 22.7W, 100W | 27W, 48W | 3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc) | 48W, 100W |
シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® |
SIZ916DT-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSIZ916DT-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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