IRF830の技術仕様
STMicroelectronics - IRF830技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - IRF830仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | |
| シリーズ | PowerMESH™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.5Ohm @ 2.7A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 100W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 610 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.5A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRF8 |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics IRF830と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF830 | IRF820S | IRF821 | IRF830 |
| メーカー | STMicroelectronics | Vishay Siliconix | Harris Corporation | Harris Corporation |
| 基本製品番号 | IRF8 | IRF820 | - | - |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 610 pF @ 25 V | 360 pF @ 25 V | 360 pF @ 25 V | 600 pF @ 25 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 500 V | 450 V | 500 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4.5A (Tc) | 2.5A (Tc) | 2.5A (Tc) | 4.5A (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 | TO-220-3 |
| 電力消費（最大） | 100W (Tc) | 3.1W (Ta), 50W (Tc) | 50W (Tc) | 75W (Tc) |
| シリーズ | PowerMESH™ | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220 | D²PAK (TO-263) | TO-220AB | TO-220AB |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ | Tube | Tube | Bulk | Bulk |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 30 nC @ 10 V | 24 nC @ 10 V | 19 nC @ 10 V | 32 nC @ 10 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Through Hole |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.5Ohm @ 2.7A, 10V | 3Ohm @ 1.5A, 10V | 3Ohm @ 1.4A, 10V | 1.5Ohm @ 2.5A, 10V |
IRF830 - STMicroelectronicsのIRF830 PDFデータテーブルとSTMicroelectronicsドキュメントをダウンロード
IRF820SVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAKIRF830 MOSIRIRF8304MTRPBF MOSIRIRF821Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETIRF8252TRPBF MOSIRIRF8306MTRPBF MOSIRIRF830Harris CorporationMOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3IRF823 H2HARRISIRF820STRRVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAKIRF820SPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAKIRF830-HF MOSAPEC
IRF8304MTRPBFInternational RectifierIRF8304 - 12V-300V N-CHANNEL POWIRF8306MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
IRF8252TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 25A 8SOIRF820STRLPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAKIRF830Vishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 4.5A TO220ABIRF8302MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFETIRF8252PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 25A 8SO| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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