IRF8252TRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRF8252TRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRF8252TRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.35V @ 100µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.7mOhm @ 25A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5305 pF @ 13 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 53 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 25A (Ta) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRF8252TRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF8252TRPBF | IRF830 | IRF8252PBF | IRF820STRLPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | Vishay Siliconix |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25 V | 500 V | 25 V | 500 V |
| シリーズ | HEXFET® | - | HEXFET® | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5305 pF @ 13 V | 610 pF @ 25 V | 5305 pF @ 13 V | 360 pF @ 25 V |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-SO | TO-220AB | 8-SO | D²PAK (TO-263) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 25A (Ta) | 4.5A (Tc) | 25A (Ta) | 2.5A (Tc) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 電力消費（最大） | 2.5W (Ta) | 74W (Tc) | 2.5W (Ta) | 3.1W (Ta), 50W (Tc) |
| パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | TO-220-3 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.7mOhm @ 25A, 10V | 1.5Ohm @ 2.7A, 10V | 2.7mOhm @ 25A, 10V | 3Ohm @ 1.5A, 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.35V @ 100µA | 4V @ 250µA | 2.35V @ 100µA | 4V @ 250µA |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 10V | 4.5V, 10V | 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 53 nC @ 4.5 V | 38 nC @ 10 V | 53 nC @ 4.5 V | 24 nC @ 10 V |
IRF8252TRPBF - Infineon TechnologiesのIRF8252TRPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRF830Vishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 4.5A TO220ABIRF8252PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 25A 8SO
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IRF830STMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 4.5A TO220ABIRF820PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A TO220AB| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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