IRF8304MTRPBFの技術仕様
International Rectifier - IRF8304MTRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInternational Rectifier - IRF8304MTRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.35V @ 100µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DirectFET™ Isometric MX | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.2mOhm @ 28A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 2.8W (Ta), 100W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric MX | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4700 pF @ 15 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 42 nC @ 4.5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 28A (Ta), 170A (Tc) |
右側の三つのパーツはInternational Rectifier IRF8304MTRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF8304MTRPBF | IRF830 | IRF830 | IRF8308MTR1PBF |
| メーカー | International Rectifier | STMicroelectronics | Vishay Siliconix | Infineon Technologies |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 28A (Ta), 170A (Tc) | 4.5A (Tc) | 4.5A (Tc) | 27A (Ta), 150A (Tc) |
| パッケージ | Bulk | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| パッケージ/ケース | DirectFET™ Isometric MX | TO-220-3 | TO-220-3 | DirectFET™ Isometric MX |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.2mOhm @ 28A, 10V | 1.5Ohm @ 2.7A, 10V | 1.5Ohm @ 2.7A, 10V | 2.5mOhm @ 27A, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | DirectFET™ Isometric MX | TO-220 | TO-220AB | DIRECTFET™ MX |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 500 V | 500 V | 30 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.35V @ 100µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 2.35V @ 100µA |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 10V | 10V | 4.5V, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| シリーズ | HEXFET® | PowerMESH™ | - | HEXFET® |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4700 pF @ 15 V | 610 pF @ 25 V | 610 pF @ 25 V | 4404 pF @ 15 V |
| 電力消費（最大） | 2.8W (Ta), 100W (Tc) | 100W (Tc) | 74W (Tc) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 42 nC @ 4.5 V | 30 nC @ 10 V | 38 nC @ 10 V | 42 nC @ 4.5 V |
IRF830 MOSIRIRF830STMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 4.5A TO220ABIRF8306MTRPBF MOSIRIRF830Vishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 4.5A TO220ABIRF8304MTRPBF MOSIRIRF8308MTR1PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFETIRF8306MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFETIRF8308MTRPBF MOSIR
IRF8252PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 25A 8SOIRF8308MTRPBFInternational RectifierTRENCH MOSFET - DIRECTFET MVIRF830ALPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 5A I2PAKIRF830AVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
IRF830 CHNElectro-Films (EFI) / VishayIRF8252TRPBF MOSIRIRF830Harris CorporationMOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3IRF8302MTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFETIRF8252TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 25A 8SOIRF830-HF MOSAPEC| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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