IRF821の技術仕様
Harris Corporation - IRF821技術仕様、属性、パラメーター、およびHarris Corporation - IRF821仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Harris Corporation | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3Ohm @ 1.4A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 50W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Bulk |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 360 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 450 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.5A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS非対応 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | Vendor Undefined |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはHarris Corporation IRF821と同様の仕様
| 製品属性 | |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRF821 | IRF820B | IRF820AS | IRF830 |
| メーカー | Harris Corporation | Fairchild Semiconductor | Vishay Siliconix | STMicroelectronics |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ | Bulk | Bulk | Tube | Tube |
| 装着タイプ | Through Hole | - | Surface Mount | Through Hole |
| 電力消費（最大） | 50W (Tc) | - | 50W (Tc) | 100W (Tc) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.5A (Tc) | - | 2.5A (Tc) | 4.5A (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | - | N-Channel | N-Channel |
| Vgs（最大） | ±20V | - | ±30V | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | - | 4.5V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| シリーズ | - | * | - | PowerMESH™ |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | - | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3Ohm @ 1.4A, 10V | - | 3Ohm @ 1.5A, 10V | 1.5Ohm @ 2.7A, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220AB | - | D²PAK (TO-263) | TO-220 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 19 nC @ 10 V | - | 17 nC @ 10 V | 30 nC @ 10 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | - | 10V | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 450 V | - | 500 V | 500 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 360 pF @ 25 V | - | 340 pF @ 25 V | 610 pF @ 25 V |
IRF820BFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETIRF820ASVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAKIRF823 H2HARRISIRF821PBFVBsemiIRF830STMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 4.5A TO220ABIRF820ASPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAKIRF820SVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
IRF8252TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 25A 8SOIRF830Vishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 4.5A TO220ABIRF820PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A TO220ABIRF820SPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
IRF830 CHNElectro-Films (EFI) / VishayIRF8252TRPBF MOSIRIRF820APBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A TO220ABIRF8252PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 25A 8SOIRF820STRLPBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAKIRF820STRRVishay SiliconixMOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAKIRF830Harris CorporationMOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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