IRFH5006TR2PBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFH5006TR2PBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFH5006TR2PBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 150µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.1mOhm @ 50A, 10V | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | |
| パッケージ | Cut Tape (CT) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4175 pF @ 30 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 100 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 21A (Ta), 100A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFH5006TR2PBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFH5006TR2PBF | IRFH5004TRPBF | IRFH5015TRPBF | IRFH5010TRPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerVDFN |
| シリーズ | - | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| FET特長 | - | - | - | - |
| パッケージ | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 21A (Ta), 100A (Tc) | 28A (Ta), 100A (Tc) | 10A (Ta), 56A (Tc) | 13A (Ta), 100A (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 40 V | 150 V | 100 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4175 pF @ 30 V | 4490 pF @ 20 V | 2300 pF @ 50 V | 4340 pF @ 25 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 150µA | 4V @ 150µA | 5V @ 150µA | 4V @ 150µA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 100 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 50 nC @ 10 V | 98 nC @ 10 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.1mOhm @ 50A, 10V | 2.6mOhm @ 50A, 10V | 31mOhm @ 34A, 10V | 9mOhm @ 50A, 10V |
IRFH5006TR2PBF - Infineon TechnologiesのIRFH5006TR2PBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRFH5015TRPBF.IRIRFH4253DTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFNIRFH5004TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 28A/100A 8PQFNIRFH5015TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFNIRFH5010TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFNIRFH4257DTRPBF MOSIRIRFH5004IRIRFH5007TR2PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 75V 17A/100A 8PQFNIRFH5015TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 10A 8VQFNIRFH5004TRPBF.IRIRFH5006PBFIRIRFH5006TRPBFInternational RectifierIRFH5006 - 12V-300V N-CHANNEL POIRFH5004TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 28A 8VQFNIRFH5007TRPBFInternational RectifierIRFH5007 - 12V-300V N-CHANNEL POIRFH5010TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 13A 5X6 PQFNIRFH5010PBFIRIRFH4257DTRPBFInternational RectifierIRFH4257 - HEXFET POWER MOSFETIRFH4255DTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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