IRFH5015TRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFH5015TRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFH5015TRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 150µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 31mOhm @ 34A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.6W (Ta), 156W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2300 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 50 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Ta), 56A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRFH5015 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFH5015TRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFH5015TRPBF | IRFH5025TRPBF | IRFH5053TR2PBF | IRFH5007TRPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | International Rectifier |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerTDFN |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | - | ±20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10A (Ta), 56A (Tc) | 3.8A (Ta) | 9.3A (Ta), 46A (Tc) | 17A (Ta), 100A (Tc) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 31mOhm @ 34A, 10V | 100mOhm @ 5.7A, 10V | 18mOhm @ 9.3A, 10V | 5.9mOhm @ 50A, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 150 V | 250 V | 100 V | 75 V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 基本製品番号 | IRFH5015 | IRFH5025 | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | - | HEXFET® |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2300 pF @ 50 V | 2150 pF @ 50 V | 1510 pF @ 50 V | 4290 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 50 nC @ 10 V | 56 nC @ 10 V | 36 nC @ 10 V | 98 nC @ 10 V |
| 電力消費（最大） | 3.6W (Ta), 156W (Tc) | 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) | - | 3.6W (Ta), 156W (Tc) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Bulk |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | - | 10V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 150µA | 5V @ 150µA | 4.9V @ 100µA | 4V @ 150µA |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | PQFN (5x6) Single Die | 8-PQFN (5x6) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
IRFH5015TRPBF - Infineon TechnologiesのIRFH5015TRPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRFH5025TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 250V 3.8A 8PQFNIRFH5053TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56IRFH5007TRPBFInternational RectifierIRFH5007 - 12V-300V N-CHANNEL POIRFH5010TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 13A 5X6 PQFNIRFH5015TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 10A 8VQFNIRFH5025TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 250V 3.8A PQFNIRFH5025TRPBF.IRIRFH5010TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFNIRFH5030PBFIRIRFH5006PBFIRIRFH5006TRPBFInternational RectifierIRFH5006 - 12V-300V N-CHANNEL POIRFH5007TR2PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 75V 17A/100A 8PQFNIRFH5020TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFNIRFH5010PBFIRIRFH5015TRPBF.IRIRFH5053MIRIRFH5020TRPBF MOSIRIRFH5006TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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