IRFH4255DTRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFH4255DTRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFH4255DTRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.1V @ 35µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PQFN (5x6) | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.2mOhm @ 30A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 31W, 38W | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1314pF @ 13V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15nC @ 4.5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 64A, 105A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | IRFH4255 |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFH4255DTRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFH4255DTRPBF | IRFH4257DTRPBF | IRFH4251DTRPBF | IRFH4253DTRPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | International Rectifier | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.1V @ 35µA | 2.1V @ 35µA | 2.1V @ 35µA | 2.1V @ 35µA |
| 電力 - 最大 | 31W, 38W | 25W, 28W | 31W, 63W | 31W, 50W |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 64A, 105A | 25A | 64A, 188A | 64A, 145A |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15nC @ 4.5V | 15nC @ 4.5V | 15nC @ 4.5V | 15nC @ 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 25V | 25V | 25V | 25V |
| サプライヤデバイスパッケージ | PQFN (5x6) | Dual PQFN (5x4) | PG-TISON-8 | PQFN (5x6) |
| 基本製品番号 | IRFH4255 | IRFH4257 | IRFH4251 | IRFH4253 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1314pF @ 13V | 1321pF @ 13V | 1314pF @ 13V | 1314pF @ 13V |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerVDFN |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | FASTIRFET™ | HEXFET® |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual), Schottky | 2 N-Channel (Dual) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.2mOhm @ 30A, 10V | 3.4mOhm @ 25A, 10V | 3.2mOhm @ 30A, 10V | 3.2mOhm @ 30A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
IRFH4255DTRPBF - Infineon TechnologiesのIRFH4255DTRPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRFH4257DTRPBF MOSIRIRFH5004TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 28A 8VQFNIRFH4257DTRPBFInternational RectifierIRFH4257 - HEXFET POWER MOSFETIRFH5007TR2PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 75V 17A/100A 8PQFNIRFH4251DTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFNIRFH5004TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 28A/100A 8PQFNIRFH4234TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 25V 22A PQFNIRFH4213TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 41A PQFNIRFH4250DTRPBFIRIRFH4253DTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFNIRFH5006PBFIRIRFH5006TRPBFInternational RectifierIRFH5006 - 12V-300V N-CHANNEL POIRFH4210TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 45A PQFNIRFH5006TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFNIRFH4226TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 25V 30A/70A 8PQFNIRFH5004IRIRFH5004TRPBF.IRIRFH4234TRPBF MOSIR| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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