IRFH5010TRPBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFH5010TRPBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFH5010TRPBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 150µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9mOhm @ 50A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 3.6W (Ta), 250W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4340 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 98 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 13A (Ta), 100A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRFH5010 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFH5010TRPBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFH5010TRPBF | IRFH5020TRPBF | IRFH5004TRPBF | IRFH5006TR2PBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 150µA | 5V @ 150µA | 4V @ 150µA | 4V @ 150µA |
| 基本製品番号 | IRFH5010 | IRFH5020 | IRFH5004 | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4340 pF @ 25 V | 2290 pF @ 100 V | 4490 pF @ 20 V | 4175 pF @ 30 V |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN | 8-PowerTDFN | 8-PowerVDFN | 8-PowerTDFN |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 98 nC @ 10 V | 54 nC @ 10 V | 110 nC @ 10 V | 100 nC @ 10 V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 200 V | 40 V | 60 V |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) | 8-PQFN (5x6) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 13A (Ta), 100A (Tc) | 5.1A (Ta) | 28A (Ta), 100A (Tc) | 21A (Ta), 100A (Tc) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 3.6W (Ta), 250W (Tc) | 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 9mOhm @ 50A, 10V | 55mOhm @ 7.5A, 10V | 2.6mOhm @ 50A, 10V | 4.1mOhm @ 50A, 10V |
IRFH5010TRPBF - Infineon TechnologiesのIRFH5010TRPBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRFH5020TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFNIRFH5010PBFIRIRFH5004TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 28A/100A 8PQFNIRFH5006TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFNIRFH5015TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 10A 8VQFNIRFH5025TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 250V 3.8A PQFNIRFH5010TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 13A 5X6 PQFNIRFH5006PBFIRIRFH5020TRPBF MOSIRIRFH5004TRPBF.IRIRFH5007TR2PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 75V 17A/100A 8PQFNIRFH5015TRPBF.IRIRFH5025TRPBF.IRIRFH5006TRPBFInternational RectifierIRFH5006 - 12V-300V N-CHANNEL POIRFH5025TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 250V 3.8A 8PQFNIRFH5030PBFIRIRFH5007TRPBFInternational RectifierIRFH5007 - 12V-300V N-CHANNEL POIRFH5015TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をショッピングカートに追加してください。すぐにご連絡いたします。