画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
FDMD8530 - onsemi
- メーカー 部品型番
- FDMD8530
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-FDMD8530
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET 2N-CH 30V 35A
- 詳細な説明
- パッケージ
- 8-PowerWDFN
- データシート
- FDMD8530.pdf
- RoHS ステータス
- 在庫あり: 5320
FDMD8530の技術仕様
onsemi - FDMD8530技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDMD8530仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | Power56 | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.25mOhm @ 35A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 2.2W | |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 10395pF @ 15V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 149nC @ 10V | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 35A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | FDMD85 |
右側の三つのパーツはonsemi FDMD8530と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDMD8530 | FDMD8280 | FDME1034CZT | FDME1023PZT |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| 基本製品番号 | FDMD85 | FDMD82 | FDME1034 | FDME1023 |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 149nC @ 10V | 44nC @ 10V | 4.2nC @ 4.5V | 7.7nC @ 4.5V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.25mOhm @ 35A, 10V | 8.2mOhm @ 11A, 10V | 66mOhm @ 3.4A, 4.5V | 142mOhm @ 2.3A, 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 10395pF @ 15V | 3050pF @ 40V | 300pF @ 10V | 405pF @ 10V |
| パッケージ/ケース | 8-PowerWDFN | 12-PowerWDFN | 6-UFDFN Exposed Pad | 6-UFDFN Exposed Pad |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | Power56 | 12-Power3.3x5 | 6-MicroFET (1.6x1.6) | 6-UMLP (1.6x1.6) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 35A | 11A | 3.8A, 2.6A | 2.6A |
| FET特長 | - | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | N and P-Channel | 2 P-Channel (Dual) |
| 電力 - 最大 | 2.2W | 1W | 600mW | 600mW |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V | 80V | 20V | 20V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 4V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
FDMD8530 - onsemiのFDMD8530 PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDMD8280onsemiMOSFET 2N-CH 80V 11A 12POWERFDME1034CZTonsemiMOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFETFDME1023PZTFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMD8540LonsemiMOSFET 2N-CH 40V 8POWER 5X6FDMD8280Fairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMCA7632Fairchild (onsemi)FDMD8240LonsemiMOSFET 2N-CH 40V 23AFDMD8540LFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, NFDMD8260LonsemiMOSFET 2N-CH 60V 15A 12POWERFDME1024NZTonsemiMOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6-MICROFETFDMC89521LonsemiMOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8POWER33FDME1034CZTFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMD8260LFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDME0106NZTFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFETFDMC8884 MOSFairchild (onsemi)FDME1023PZTonsemiMOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6MICROFETFDMD8560LonsemiMOSFET 2N-CH 46V 22A POWERFDMD8240LET40onsemiMOSFET 2N-CH 40V 24A POWER3.3X5| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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