FDME1023PZTの技術仕様
onsemi - FDME1023PZT技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDME1023PZT仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-MicroFET (1.6x1.6) | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 142mOhm @ 2.3A, 4.5V | |
| 電力 - 最大 | 600mW | |
| パッケージ/ケース | 6-UFDFN Exposed Pad | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 405pF @ 10V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 7.7nC @ 4.5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.6A | |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | FDME1023 |
右側の三つのパーツはonsemi FDME1023PZTと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDME1023PZT | FDME1024NZT | FDME1034CZT | FDME1023PZT |
| メーカー | onsemi | onsemi | onsemi | Fairchild Semiconductor |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 6-UFDFN Exposed Pad | 6-UFDFN Exposed Pad | 6-UFDFN Exposed Pad | 6-UFDFN Exposed Pad |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| 電力 - 最大 | 600mW | 600mW | 600mW | 600mW |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-MicroFET (1.6x1.6) | 6-MicroFET (1.6x1.6) | 6-MicroFET (1.6x1.6) | 6-UMLP (1.6x1.6) |
| 基本製品番号 | FDME1023 | FDME1024 | FDME1034 | FDME1023 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.6A | 3.8A | 3.8A, 2.6A | 2.6A |
| FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 405pF @ 10V | 300pF @ 10V | 300pF @ 10V | 405pF @ 10V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 142mOhm @ 2.3A, 4.5V | 66mOhm @ 3.4A, 4.5V | 66mOhm @ 3.4A, 4.5V | 142mOhm @ 2.3A, 4.5V |
| コンフィギュレーション | 2 P-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | N and P-Channel | 2 P-Channel (Dual) |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 7.7nC @ 4.5V | 4.2nC @ 4.5V | 4.2nC @ 4.5V | 7.7nC @ 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | 20V | 20V | 20V |
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FDME410NZTonsemiMOSFET N-CH 20V 7A MICROFETFDME1034CZT MOSFairchild (onsemi)FDME510PZTonsemiMOSFET P-CH 20V 6A MICROFETFDME0106NZTFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFETFDME1024NZTonsemiMOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6-MICROFETFDME1034CZTonsemiMOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFETFDME820NZTFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDME430NTFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 6A MICROFETFDME1023PZTFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMD8540LFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, NFDME1034CZTFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMD8530onsemiMOSFET 2N-CH 30V 35AFDMD8280onsemiMOSFET 2N-CH 80V 11A 12POWERFDMD8260LFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMD8540LonsemiMOSFET 2N-CH 40V 8POWER 5X6FDMD8560LonsemiMOSFET 2N-CH 46V 22A POWERFDME430NTonsemiMOSFET N-CH 30V 6A MICROFET1.6FDMD8280Fairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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