FDME1024NZTの技術仕様
onsemi - FDME1024NZT技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDME1024NZT仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-MicroFET (1.6x1.6) | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 66mOhm @ 3.4A, 4.5V | |
| 電力 - 最大 | 600mW | |
| パッケージ/ケース | 6-UFDFN Exposed Pad | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 300pF @ 10V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 4.2nC @ 4.5V | |
| FET特長 | Logic Level Gate | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.8A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | FDME1024 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはonsemi FDME1024NZTと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDME1024NZT | FDMD8540L | FDMD8540L | FDMD8560L |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-MicroFET (1.6x1.6) | 8-Power 5x6 | 8-Power 5x6 | 8-Power 5x6 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 300pF @ 10V | 7940pF @ 20V | 7940pF @ 20V | 11130pF @ 30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 基本製品番号 | FDME1024 | FDMD8540 | FDMD8540 | FDMD8560 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20V | 40V | 40V | 60V |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電力 - 最大 | 600mW | 2.3W | 2.3W | 2.2W |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 4.2nC @ 4.5V | 113nC @ 10V | 113nC @ 10V | 128nC @ 10V |
| FET特長 | Logic Level Gate | - | - | - |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 66mOhm @ 3.4A, 4.5V | 1.5mOhm @ 33A, 10V | 1.5mOhm @ 33A, 10V | 3.2mOhm @ 22A, 10V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 6-UFDFN Exposed Pad | 8-PowerWDFN | 8-PowerWDFN | 8-PowerWDFN |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 3.8A | 33A, 156A | 33A, 156A | 22A, 93A |
FDME1024NZT - onsemiのFDME1024NZT PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDMD8540LFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, NFDMD8540LonsemiMOSFET 2N-CH 40V 8POWER 5X6FDME430NTFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 30V 6A MICROFETFDME1034CZT MOSFairchild (onsemi)FDME410NZTonsemiMOSFET N-CH 20V 7A MICROFETFDMD8560LonsemiMOSFET 2N-CH 46V 22A POWERFDMD8280Fairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDME1034CZTFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDME1023PZTonsemiMOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6MICROFETFDME820NZTFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDME1034CZTonsemiMOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFETFDME0106NZTFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFETFDMD8530onsemiMOSFET 2N-CH 30V 35AFDME0106DZTFairchild (onsemi)FDME510PZT MOSFairchild (onsemi)FDME510PZTonsemiMOSFET P-CH 20V 6A MICROFETFDME430NTonsemiMOSFET N-CH 30V 6A MICROFET1.6FDME1023PZTFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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