画像はイメージです、製品の詳細については、仕様を参考してください。
FDMD8260L - onsemi
- メーカー 部品型番
- FDMD8260L
- メーカー
- onsemi
- Allelco 部品型番
- 32D-FDMD8260L
- ECADモデル
- モデルの説明
- MOSFET 2N-CH 60V 15A 12POWER
- 詳細な説明
- パッケージ
- 12-PowerWDFN
- データシート
- FDMD8260L.pdf
- RoHS ステータス
- 在庫あり: 4280
FDMD8260Lの技術仕様
onsemi - FDMD8260L技術仕様、属性、パラメーター、およびonsemi - FDMD8260L仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | onsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 12-Power3.3x5 | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.8mOhm @ 15A, 10V | |
| 電力 - 最大 | 1W | |
| パッケージ/ケース | 12-PowerWDFN | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5245pF @ 30V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 68nC @ 10V | |
| FET特長 | - | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 15A | |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | |
| 基本製品番号 | FDMD8260 |
右側の三つのパーツはonsemi FDMD8260Lと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | FDMD8260L | FDMD8540L | FDMD8240LET40 | FDMD8530 |
| メーカー | onsemi | Fairchild Semiconductor | onsemi | onsemi |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 5.8mOhm @ 15A, 10V | 1.5mOhm @ 33A, 10V | 2.6mOhm @ 23A, 10V | 1.25mOhm @ 35A, 10V |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| シリーズ | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® | PowerTrench® |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA |
| 電力 - 最大 | 1W | 2.3W | 50W | 2.2W |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 12-PowerWDFN | 8-PowerWDFN | 12-PowerWDFN | 8-PowerWDFN |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60V | 40V | 40V | 30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 15A | 33A, 156A | 24A | 35A |
| サプライヤデバイスパッケージ | 12-Power3.3x5 | 8-Power 5x6 | 12-Power3.3x5 | Power56 |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 68nC @ 10V | 113nC @ 10V | 56nC @ 10V | 149nC @ 10V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5245pF @ 30V | 7940pF @ 20V | 4230pF @ 20V | 10395pF @ 15V |
| 基本製品番号 | FDMD8260 | FDMD8540 | FDMD8240 | FDMD85 |
FDMD8260L - onsemiのFDMD8260L PDFデータテーブルとonsemiドキュメントをダウンロード
FDMD8540LFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, NFDMD8240LET40onsemiMOSFET 2N-CH 40V 24A POWER3.3X5FDMCA7632Fairchild (onsemi)FDMD8530onsemiMOSFET 2N-CH 30V 35AFDMD8540LonsemiMOSFET 2N-CH 40V 8POWER 5X6FDMC8882 MOSFairchild (onsemi)FDMC8882onsemiMOSFET N-CH 30V 10.5A/16A 8MLPFDME0106NZTFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFETFDMC8884onsemiMOSFET N-CH 30V 9A/15A 8MLPFDMC89521LonsemiMOSFET 2N-CH 60V 8.2A 8POWER33FDMD8280onsemiMOSFET 2N-CH 80V 11A 12POWERFDMD8240LonsemiMOSFET 2N-CH 40V 23AFDMD8280Fairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMD8260LFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDME1023PZTFairchild SemiconductorSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSIFDMD8560LonsemiMOSFET 2N-CH 46V 22A POWERFDMC8884Fairchild Semiconductor9A, 30V, 0.019OHM, N-CHANNEL POWFDMC8884 MOSFairchild (onsemi)| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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