SIZ728DT-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SIZ728DT-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SIZ728DT-T1-GE3仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Vishay / Siliconix | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.2V @ 250µA | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-PowerPair™ | |
シリーズ | TrenchFET® | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 7.7mOhm @ 18A, 10V | |
電力 - 最大 | 27W, 48W | |
パッケージ/ケース | 6-PowerPair™ | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 890pF @ 12.5V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 26nC @ 10V | |
FET特長 | Logic Level Gate | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 25V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 16A, 35A | |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
基本製品番号 | SIZ728 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SIZ728DT-T1-GE3と同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | SIZ728DT-T1-GE3 | SIZ704DT-T1-GE3 | SIZ900DT-T1-GE3 | SIZ910DT-T1-GE3 |
メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
基本製品番号 | SIZ728 | SIZ704 | SIZ900 | SIZ910 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 26nC @ 10V | 12nC @ 10V | 45nC @ 10V | 40nC @ 10V |
電力 - 最大 | 27W, 48W | 20W, 30W | 48W, 100W | 48W, 100W |
FET特長 | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-PowerPair™ | 6-PowerPair™ | 6-PowerPair™ | 8-PowerPair® (6x5) |
パッケージ/ケース | 6-PowerPair™ | 6-PowerPair™ | 6-PowerPair™ | 8-PowerWDFN |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 25V | 30V | 30V | 30V |
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.2V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.4V @ 250µA | 2.2V @ 250µA |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 7.7mOhm @ 18A, 10V | 24mOhm @ 7.8A, 10V | 7.2mOhm @ 19.4A, 10V | 5.8mOhm @ 20A, 10V |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Half Bridge) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 2 N-Channel (Half Bridge) |
シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 16A, 35A | 12A, 16A | 24A, 28A | 40A |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 890pF @ 12.5V | 435pF @ 15V | 1830pF @ 15V | 1500pF @ 15V |
SIZ728DT-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSIZ728DT-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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