SIDR870ADP-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SIDR870ADP-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SIDR870ADP-T1-GE3仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Vishay / Siliconix | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA | |
Vgs(最大) | ±20V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8DC | |
シリーズ | TrenchFET® | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 6.6mOhm @ 20A, 10V | |
電力消費(最大) | 125W (Tc) | |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 | |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 | |
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運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
装着タイプ | Surface Mount | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2866 pF @ 50 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 80 nC @ 10 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 95A (Tc) | |
基本製品番号 | SIDR870 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SIDR870ADP-T1-GE3と同様の仕様
製品属性 | ![]() |
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部品型番 | SIDR870ADP-T1-GE3 | SIDR668DP-T1-GE3 | SID1152K-TL | SID05N10 |
メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Power Integrations | SECOS |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V | 100 V | - | - |
シリーズ | TrenchFET® | TrenchFET® Gen IV | SCALE-iDriver™ | - |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA | 3.4V @ 250µA | - | - |
基本製品番号 | SIDR870 | SIDR668 | SID1152 | - |
FETタイプ | N-Channel | N-Channel | - | - |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 80 nC @ 10 V | 108 nC @ 10 V | - | - |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2866 pF @ 50 V | 5400 pF @ 50 V | - | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 6.6mOhm @ 20A, 10V | 4.8mOhm @ 20A, 10V | - | - |
パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 95A (Tc) | 23.2A (Ta), 95A (Tc) | - | - |
電力消費(最大) | 125W (Tc) | 6.25W (Ta), 125W (Tc) | - | - |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads | - |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8DC | PowerPAK® SO-8DC | eSOP-R16B | - |
Vgs(最大) | ±20V | ±20V | - | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V | 7.5V, 10V | - | - |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 125°C | - |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | Magnetic Coupling | - |
装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | - |
FET特長 | - | - | - | - |
SIDR870ADP-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSIDR870ADP-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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