SIDR668DP-T1-GE3の技術仕様
Vishay Siliconix - SIDR668DP-T1-GE3技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - SIDR668DP-T1-GE3仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8DC | |
| シリーズ | TrenchFET® Gen IV | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.8mOhm @ 20A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 6.25W (Ta), 125W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5400 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 108 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 7.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 23.2A (Ta), 95A (Tc) | |
| 基本製品番号 | SIDR668 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix SIDR668DP-T1-GE3と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SIDR668DP-T1-GE3 | SIDR870ADP-T1-GE3 | SID01-08 | SIDR626DP-T1-GE3 |
| メーカー | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | FUJI | Vishay |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 7.5V, 10V | 4.5V, 10V | - | - |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 100 V | - | - |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 | PowerPAK® SO-8 | - | - |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | - | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | - | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5400 pF @ 50 V | 2866 pF @ 50 V | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8DC | PowerPAK® SO-8DC | - | - |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.8mOhm @ 20A, 10V | 6.6mOhm @ 20A, 10V | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 23.2A (Ta), 95A (Tc) | 95A (Tc) | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | - | - |
| FET特長 | - | - | - | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 108 nC @ 10 V | 80 nC @ 10 V | - | - |
| 基本製品番号 | SIDR668 | SIDR870 | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.4V @ 250µA | 3V @ 250µA | - | - |
| シリーズ | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® | - | - |
| 電力消費（最大） | 6.25W (Ta), 125W (Tc) | 125W (Tc) | - | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | - | - |
SIDR668DP-T1-GE3 - Vishay SiliconixのSIDR668DP-T1-GE3 PDFデータテーブルとVishay Siliconixドキュメントをダウンロード
SID01-08FUJIIGBT ModuleSIDR626DP-T1-GE3VishaySIDR870ADP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DC
SID13775B02B600Epson
SID1132K-TLPower IntegrationsDGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16BSID5486XTRICSID20ED01-17SCILICONIGBT Module
SID01-12Fujitsu Electronics America, Inc.IGBT ModuleSIDR870ADP-T1-RE3VishaySID01-09FUJIIGBT ModuleSID1183KPower IntegrationsIC GATE DRV HI/LO SIDE ESOP-R16BSID1183K-TLPower IntegrationsIC GATE DRV HI/LO SIDE ESOP-R16BSID1152K-TLPower IntegrationsDGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B
SID2552X03-AOSamsung SemiconductorSID01-04FUJIIGBT ModuleSIDR680DP-T1-GE3VishaySID01-06FUJIIGBT ModuleSID05N10SECOS| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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