SID1183Kの技術仕様
Power Integrations - SID1183K技術仕様、属性、パラメーター、およびPower Integrations - SID1183K仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Power Integrations | |
| 電源電圧 - | 4.75V ~ 5.25V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | eSOP-R16B | |
| シリーズ | SCALE™-1 | |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 465ns, 460ns | |
| パッケージ/ケース | 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads | |
| パッケージ | Tube | |
| 運転温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) | |
| 入力周波数 | 2 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.5V, 3.3V | |
| 入力タイプ | Inverting | |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET | |
| 駆動構成 | High-Side or Low-Side | |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 8A, 48A | |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Single | |
| 基本製品番号 | SID1183 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | RoHS準拠 |
| 湿度感度レベル（MSL） | 3 (168 Hours) |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
右側の三つのパーツはPower Integrations SID1183Kと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | SID1183K | SID1183K-TL | SID1132K-TL | SIDR668DP-T1-GE3 |
| メーカー | Power Integrations | Power Integrations | Power Integrations | Vishay Siliconix |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 465ns, 460ns | 465ns, 460ns | 450ns, 450ns (Max) | - |
| 電源電圧 - | 4.75V ~ 5.25V | 4.75V ~ 5.25V | - | - |
| シリーズ | SCALE™-1 | SCALE™-1 | SCALE-iDriver™ | TrenchFET® Gen IV |
| サプライヤデバイスパッケージ | eSOP-R16B | eSOP-R16B | eSOP-R16B | PowerPAK® SO-8DC |
| 入力タイプ | Inverting | Inverting | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Single | Single | - | - |
| 運転温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 125°C | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 基本製品番号 | SID1183 | SID1183 | SID1132 | SIDR668 |
| パッケージ/ケース | 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads | 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads | 16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads | PowerPAK® SO-8 |
| 入力周波数 | 2 | 2 | - | - |
| 駆動構成 | High-Side or Low-Side | High-Side or Low-Side | - | - |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 8A, 48A | 8A, 48A | - | - |
| パッケージ | Tube | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| ゲートタイプ | IGBT, N-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel MOSFET | - | - |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 0.5V, 3.3V | 0.5V, 3.3V | - | - |
SID1183K - Power IntegrationsのSID1183K PDFデータテーブルとPower Integrationsドキュメントをダウンロード
SID1132K-TLPower IntegrationsDGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16BSIDR668DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
SID01-04FUJIIGBT ModuleSID5486XTRICSID1183K-TLPower IntegrationsIC GATE DRV HI/LO SIDE ESOP-R16BSID01-03FUJIIGBT Module
SID01-12Fujitsu Electronics America, Inc.IGBT ModuleSID01-08FUJIIGBT Module
SID2552X03-AOSamsung SemiconductorSID1152K-TLPower IntegrationsDGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B
SIDR680DP-T1-GE3VishaySIDR870ADP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8DC
SID13775B02B600EpsonSID01-09FUJIIGBT ModuleSIDR626DP-T1-GE3VishaySID05N10SECOSSID01-06FUJIIGBT ModuleSID20ED01-17SCILICONIGBT Module| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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