IRFSL9N60Aの技術仕様
Vishay Siliconix - IRFSL9N60A技術仕様、属性、パラメーター、およびVishay Siliconix - IRFSL9N60A仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Vishay / Siliconix | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-262-3 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 750mOhm @ 5.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 170W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1400 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 49 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.2A (Tc) | |
| 基本製品番号 | IRFSL9 |
右側の三つのパーツはVishay Siliconix IRFSL9N60Aと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFSL9N60A | IRFSL7434PBF | IRFSL7440PBF | IRFSL7437PBF |
| メーカー | Vishay Siliconix | International Rectifier | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 600 V | 40 V | 40 V | 40 V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 49 nC @ 10 V | 324 nC @ 10 V | 135 nC @ 10 V | 225 nC @ 10 V |
| シリーズ | - | HEXFET®, StrongIRFET™ | HEXFET®, StrongIRFET™ | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 9.2A (Tc) | 195A (Tc) | 120A (Tc) | 195A (Tc) |
| 電力消費（最大） | 170W (Tc) | 294W (Tc) | 208W (Tc) | 230W (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 6V, 10V | 6V, 10V | 6V, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-262-3 | TO-262 | TO-262 | TO-262 |
| パッケージ | Tube | Bulk | Tube | Tube |
| 基本製品番号 | IRFSL9 | - | IRFSL7440 | IRFSL7437 |
| Vgs（最大） | ±30V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 750mOhm @ 5.5A, 10V | 1.6mOhm @ 100A, 10V | 2.5mOhm @ 100A, 10V | 1.8mOhm @ 100A, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 3.9V @ 250µA | 3.9V @ 100µA | 3.9V @ 150µA |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1400 pF @ 25 V | 10820 pF @ 25 V | 4730 pF @ 25 V | 7330 pF @ 25 V |
IRFSL7434PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 40V 195A TO262IRFT004IRIRFSL7440PBFInfineon TechnologiesMOSFET N CH 40V 120A TO-262IRFSL7437PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 195A TO262IRFSL7787PBFInfineon TechnologiesIRFSL7787 - 12V-300V N-CHANNEL PIRFTS8342TRPBF MOSCypress Semiconductor (Infineon Technologies)IRFTS8342PBFVBsemi
IRFSZ24Fairchild (onsemi)
IRFTS8342TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOPIRFSL7762PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 85A TO262IRFSL4615PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 33A TO262IRFSL5615PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 33A TO262IRFT003IRIGBT ModuleIRFSL7537PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 173A TO262IRFSL4610PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 73A TO262
IRFSL4710AMI Semiconductor/onsemiIRFSZ34AVBSEMI
IRFSL9N60APBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 9.2A I2PAK| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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