IRFSL4610PBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFSL4610PBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFSL4610PBF仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 100µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-262 | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 14mOhm @ 44A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 190W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3550 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 140 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 73A (Tc) |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFSL4610PBFと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | IRFSL4610PBF | IRFSL7537PBF | IRFSL4310PBF | IRFSL4310ZPBF |
| メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | International Rectifier |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 14mOhm @ 44A, 10V | 3.3mOhm @ 100A, 10V | 7mOhm @ 75A, 10V | 6mOhm @ 75A, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 100 V | 60 V | 100 V | 100 V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 6V, 10V | 10V | 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 73A (Tc) | 173A (Tc) | 130A (Tc) | 120A (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| シリーズ | HEXFET® | HEXFET®, StrongIRFET™ | HEXFET® | HEXFET® |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3550 pF @ 50 V | 7020 pF @ 25 V | 7670 pF @ 50 V | 6860 pF @ 50 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 100µA | 3.7V @ 150µA | 4V @ 250µA | 4V @ 150µA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 140 nC @ 10 V | 210 nC @ 10 V | 250 nC @ 10 V | 170 nC @ 10 V |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 電力消費（最大） | 190W (Tc) | 230W (Tc) | 300W (Tc) | 250W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-262 | TO-262 | TO-262 | TO-262 |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Bulk |
IRFSL4610PBF - Infineon TechnologiesのIRFSL4610PBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
IRFSL7537PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 60V 173A TO262IRFSL4310PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 130A TO262IRFSL4310ZPBFInternational RectifierIRFSL4310 - HEXFET POWER MOSFETIRFSL4410ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 97A TO262IRFSL7762PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 85A TO262IRFSL4310 MOSIRIRFSL5615PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 33A TO262IRFSL7434PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 40V 195A TO262IRFSL4410Infineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 96A TO262IRFSL7440PBFInfineon TechnologiesMOSFET N CH 40V 120A TO-262
IRFSL9N60AVishay SiliconixMOSFET N-CH 600V 9.2A TO262-3IRFSL7437PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 40V 195A TO262IRFSL4229PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 250V 45A TO262IRFSL4615PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 33A TO262IRFSL4228PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 83A TO262IRFSL4321PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 150V 85A TO262IRFSL7787PBFInfineon TechnologiesIRFSL7787 - 12V-300V N-CHANNEL PIRFSL4410PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 100V 88A TO262| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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