IRFSL7537PBFの技術仕様
Infineon Technologies - IRFSL7537PBF技術仕様、属性、パラメーター、およびInfineon Technologies - IRFSL7537PBF仕様に似たパーツ
製品属性 | 属性値 | |
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メーカー | Infineon Technologies | |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.7V @ 150µA | |
Vgs(最大) | ±20V | |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-262 | |
シリーズ | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 3.3mOhm @ 100A, 10V | |
電力消費(最大) | 230W (Tc) | |
パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | |
パッケージ | Tube |
製品属性 | 属性値 | |
---|---|---|
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
装着タイプ | Through Hole | |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 7020 pF @ 25 V | |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 210 nC @ 10 V | |
FETタイプ | N-Channel | |
FET特長 | - | |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 6V, 10V | |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V | |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 173A (Tc) | |
基本製品番号 | IRFSL7537 |
属性 | 説明 |
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RoHS ステータス | |
湿度感度レベル(MSL) | 1 (Unlimited) |
州に到達します | REACH Unaffected |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
右側の三つのパーツはInfineon Technologies IRFSL7537PBFと同様の仕様
製品属性 | ||||
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部品型番 | IRFSL7537PBF | IRFSL7762PBF | IRFSL9N60APBF | IRFSL5615PBF |
メーカー | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Vishay Siliconix | Infineon Technologies |
電力消費(最大) | 230W (Tc) | 140W (Tc) | 170W (Tc) | 144W (Tc) |
パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-262 | TO-262 | I2PAK | TO-262 |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 6V, 10V | 6V, 10V | 10V | 10V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 210 nC @ 10 V | 130 nC @ 10 V | 49 nC @ 10 V | 40 nC @ 10 V |
基本製品番号 | IRFSL7537 | - | IRFSL9 | IRFSL5615 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V | 75 V | 600 V | 150 V |
シリーズ | HEXFET®, StrongIRFET™ | HEXFET®, StrongIRFET™ | - | - |
FET特長 | - | - | - | - |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 173A (Tc) | 85A (Tc) | 9.2A (Tc) | 33A (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
同上@ VGS(TH)(最大) | 3.7V @ 150µA | 3.7V @ 100µA | 4V @ 250µA | 5V @ 100µA |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 7020 pF @ 25 V | 4440 pF @ 25 V | 1400 pF @ 25 V | 1750 pF @ 50 V |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 3.3mOhm @ 100A, 10V | 6.7mOhm @ 51A, 10V | 750mOhm @ 5.5A, 10V | 42mOhm @ 21A, 10V |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Vgs(最大) | ±20V | ±20V | ±30V | ±20V |
IRFSL7537PBF - Infineon TechnologiesのIRFSL7537PBF PDFデータテーブルとInfineon Technologiesドキュメントをダウンロード
一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
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地域 | 国 | ロジスティック時間(日) |
アメリカ | アメリカ | 5 |
ブラジル | 7 | |
ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
イギリス | 4 | |
イタリア | 5 | |
オセアニア | オーストラリア | 6 |
ニュージーランド | 5 | |
アジア | インド | 4 |
日本 | 4 | |
中東 | イスラエル | 6 |
DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
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発送料(kg) | 参照DHL(USD $) |
0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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