HIP2211FRTZ-T7Aの技術仕様
Renesas Electronics America Inc - HIP2211FRTZ-T7A技術仕様、属性、パラメーター、およびRenesas Electronics America Inc - HIP2211FRTZ-T7A仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Renesas Electronics Corporation | |
| 電源電圧 - | 6V ~ 18V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 10-TDFN (4x4) | |
| シリーズ | - | |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 435ns, 365ns | |
| パッケージ/ケース | 10-WDFN Exposed Pad | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 運転温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) | |
| 入力周波数 | 2 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 1.47V, 1.84V | |
| 入力タイプ | Non-Inverting | |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 115 V | |
| ゲートタイプ | N-Channel MOSFET | |
| 駆動構成 | Half-Bridge | |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 3A, 4A | |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Synchronous | |
| 基本製品番号 | HIP2211 |
右側の三つのパーツはRenesas Electronics America Inc HIP2211FRTZ-T7Aと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | HIP2211FRTZ-T7A | HIP2101IR4Z | HIP2101IBZT | HIP2101IR |
| メーカー | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | Intersil |
| 駆動構成 | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Synchronous | Independent | Independent | Independent |
| サプライヤデバイスパッケージ | 10-TDFN (4x4) | 12-DFN (4x4) | 8-SOIC | 16-QFN (5x5) |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 1.47V, 1.84V | 0.8V, 2.2V | 0.8V, 2.2V | 0.8V, 2.2V |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 3A, 4A | 2A, 2A | 2A, 2A | 2A, 2A |
| ゲートタイプ | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 入力周波数 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| 電源電圧 - | 6V ~ 18V | 9V ~ 14V | 9V ~ 14V | 9V ~ 14V |
| 運転温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 115 V | 114 V | 114 V | 114 V |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 435ns, 365ns | 10ns, 10ns | 10ns, 10ns | 10ns, 10ns |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 入力タイプ | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
| 基本製品番号 | HIP2211 | HIP2101 | HIP2101 | HIP2101 |
| パッケージ/ケース | 10-WDFN Exposed Pad | 12-VFDFN Exposed Pad | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 16-VQFN Exposed Pad |
HIP4020IBZRenesas Electronics America IncIC HALF BRIDGE DRVR 500MA 20SOICHIP2101IR4ZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DFNHIP2101IBZTRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
HIP2500IB96Harris CorporationHALF BRIDGE 500VDC DRIVER
HIP4020IBIntersilIC HALF BRIDGE DRVR 500MA 20SOICHIP4080AIBZRenesas Electronics America IncIC FULL BRIDGE DRIVER 20SOICHIP2101IRIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
HIP2101IRRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
HIP2500IBHarris CorporationHALF BRIDGE 500VDC DRIVER
HIP232CPIntersil (Renesas Electronics Corporation)
HIP2103FRTAAZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8TDFN
HIP2101IBZTIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER,HIP2104FRAANZ-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DFNHIP4020IBRenesas Electronics America IncIC HALF BRIDGE DRVR 500MA 20SOIC
HIP2500IP1Harris CorporationHALF BRIDGE 500VDC DRIVERHIP2103FRTAAZ-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8TDFNHIP2104FRAANZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DFNHIP4020IBHarris CorporationIC HALF BRIDGE DRVR 500MA 20SOIC| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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