HIP2103FRTAAZ-Tの技術仕様
Renesas Electronics America Inc - HIP2103FRTAAZ-T技術仕様、属性、パラメーター、およびRenesas Electronics America Inc - HIP2103FRTAAZ-T仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Renesas Electronics Corporation | |
| 電源電圧 - | 4.5V ~ 14V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-TDFN (3x3) | |
| シリーズ | - | |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 8ns, 2ns | |
| パッケージ/ケース | 8-WDFN Exposed Pad | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | |
| 運転温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) | |
| 入力周波数 | 2 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 1.63V, 2.06V | |
| 入力タイプ | Non-Inverting | |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 60 V | |
| ゲートタイプ | N-Channel MOSFET | |
| 駆動構成 | Half-Bridge | |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 1A, 1A | |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Independent | |
| 基本製品番号 | HIP2103 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 3 (168 Hours) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
右側の三つのパーツはRenesas Electronics America Inc HIP2103FRTAAZ-Tと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | HIP2103FRTAAZ-T | HIP2101IBZ | HIP2211FRTZ-T7A | HIP2104FRAANZ |
| メーカー | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 基本製品番号 | HIP2103 | HIP2101 | HIP2211 | HIP2104 |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 1A, 1A | 2A, 2A | 3A, 4A | 1A, 1A |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube |
| 電源電圧 - | 4.5V ~ 14V | 9V ~ 14V | 6V ~ 18V | 4.5V ~ 14V |
| パッケージ/ケース | 8-WDFN Exposed Pad | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 10-WDFN Exposed Pad | 12-VFDFN Exposed Pad |
| 駆動構成 | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge |
| シリーズ | - | - | - | - |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 1.63V, 2.06V | 0.8V, 2.2V | 1.47V, 1.84V | 1.63V, 2.06V |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 60 V | 114 V | 115 V | 60 V |
| 運転温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 8ns, 2ns | 10ns, 10ns | 435ns, 365ns | 8ns, 2ns |
| ゲートタイプ | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| 入力周波数 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-TDFN (3x3) | 8-SOIC | 10-TDFN (4x4) | 12-DFN (4x4) |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Independent | Independent | Synchronous | Independent |
| 入力タイプ | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
HIP2103FRTAAZ-T - Renesas Electronics America IncのHIP2103FRTAAZ-T PDFデータテーブルとRenesas Electronics America Incドキュメントをダウンロード
HIP2101IBZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICHIP2211FRTZ-T7ARenesas Electronics America Inc100V/4A HI/LI HALF BRIDGE DRIVERHIP2104FRAANZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DFNHIP2101IBZTRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICHIP2101IR4ZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DFN
HIP2101IRRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
HIP2101IBTIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
HIP232CPIntersil (Renesas Electronics Corporation)HIP232ECBNZIntersil (Renesas Electronics Corporation)HIP2101IBTRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
HIP2211FR8Z-TRenesas Electronics CorporationHIP2103FRTAAZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8TDFN
HIP2500IB96Harris CorporationHALF BRIDGE 500VDC DRIVERHIP2105FRZ-TRenesas
HIP2500IBHarris CorporationHALF BRIDGE 500VDC DRIVERHIP2101IBZTIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER,
HIP2101IRIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVERHIP2104FRAANZ-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DFN| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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