HIP2103FRTAAZの技術仕様
Renesas Electronics America Inc - HIP2103FRTAAZ技術仕様、属性、パラメーター、およびRenesas Electronics America Inc - HIP2103FRTAAZ仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Renesas Electronics Corporation | |
| 電源電圧 - | 4.5V ~ 14V | |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-TDFN (3x3) | |
| シリーズ | - | |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 8ns, 2ns | |
| パッケージ/ケース | 8-WDFN Exposed Pad | |
| パッケージ | Tube | |
| 運転温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) | |
| 入力周波数 | 2 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 1.63V, 2.06V | |
| 入力タイプ | Non-Inverting | |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 60 V | |
| ゲートタイプ | N-Channel MOSFET | |
| 駆動構成 | Half-Bridge | |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 1A, 1A | |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Independent | |
| 基本製品番号 | HIP2103 |
右側の三つのパーツはRenesas Electronics America Inc HIP2103FRTAAZと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | HIP2103FRTAAZ | HIP2101IR | HIP2101IB | HIP2101IBZT |
| メーカー | Renesas Electronics America Inc | Intersil | Renesas Electronics America Inc | Renesas Electronics America Inc |
| 運転温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力タイプ | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大） | Independent | Independent | Independent | Independent |
| 立上り/立下り時間（Typ） | 8ns, 2ns | 10ns, 10ns | 10ns, 10ns | 10ns, 10ns |
| パッケージ/ケース | 8-WDFN Exposed Pad | 16-VQFN Exposed Pad | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| ロジック電圧 - VIL、VIH | 1.63V, 2.06V | 0.8V, 2.2V | 0.8V, 2.2V | 0.8V, 2.2V |
| 駆動構成 | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge | Half-Bridge |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-TDFN (3x3) | 16-QFN (5x5) | 8-SOIC | 8-SOIC |
| 電源電圧 - | 4.5V ~ 14V | 9V ~ 14V | 9V ~ 14V | 9V ~ 14V |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 基本製品番号 | HIP2103 | HIP2101 | HIP2101 | HIP2101 |
| 入力周波数 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| ゲートタイプ | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク） | 1A, 1A | 2A, 2A | 2A, 2A | 2A, 2A |
| シリーズ | - | - | - | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| ハイサイド電圧 - 最大（ブートストラップ） | 60 V | 114 V | 114 V | 114 V |
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HIP2101IRIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVERHIP2101IBRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICHIP2101IBZTRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICHIP2101IBZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICHIP2103FRTAAZ-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8TDFN
HIP2500IBHarris CorporationHALF BRIDGE 500VDC DRIVER
HIP2101IBTIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
HIP2211FRTZ-T7ARenesas Electronics America Inc100V/4A HI/LI HALF BRIDGE DRIVERHIP2101IBZTIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER,
HIP2104FRAANZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DFNHIP2101IBIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVERHIP2101IBTRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
HIP232CPIntersil (Renesas Electronics Corporation)
HIP2101IRRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
HIP2500IB96Harris CorporationHALF BRIDGE 500VDC DRIVERHIP2104FRAANZ-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DFNHIP2101IR4ZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DFN
HIP2500IP1Harris CorporationHALF BRIDGE 500VDC DRIVER| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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