APT40M70JVFRの技術仕様
Microsemi Corporation - APT40M70JVFR技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrosemi Corporation - APT40M70JVFR仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 2.5mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | ISOTOP® | |
| シリーズ | POWER MOS V® | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 70mOhm @ 26.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 450W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Chassis Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8890 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 495 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 400 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 53A (Tc) |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはMicrosemi Corporation APT40M70JVFRと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | APT40M70JVFR | APT42F50B | APT40M42JN | APT41F100J |
| メーカー | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microsemi Corporation | Microchip Technology |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 8890 pF @ 25 V | 6810 pF @ 25 V | 14000 pF @ 25 V | 18500 pF @ 25 V |
| Vgs（最大） | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| 装着タイプ | Chassis Mount | Through Hole | Chassis Mount | Chassis Mount |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 70mOhm @ 26.5A, 10V | 130mOhm @ 21A, 10V | 42mOhm @ 43A, 10V | 210mOhm @ 33A, 10V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC | TO-247-3 | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 2.5mA | 5V @ 1mA | 4V @ 5mA | 5V @ 5mA |
| パッケージ | Tube | Tube | Tray | Tube |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 400 V | 500 V | 400 V | 1000 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 495 nC @ 10 V | 170 nC @ 10 V | 760 nC @ 10 V | 570 nC @ 10 V |
| 電力消費（最大） | 450W (Tc) | 625W (Tc) | 690W (Tc) | 960W (Tc) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 53A (Tc) | 42A (Tc) | 86A (Tc) | 42A (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| サプライヤデバイスパッケージ | ISOTOP® | TO-247 [B] | ISOTOP® | ISOTOP® |
| シリーズ | POWER MOS V® | POWER MOS 8™ | POWER MOS IV® | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
APT40M70JVFR - Microsemi CorporationのAPT40M70JVFR PDFデータテーブルとMicrosemi Corporationドキュメントをダウンロード
APT42F50BMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 42A TO247APT40GR120B2D30Microchip TechnologyIGBT 1200V 88A 500W TO247APT40M42JNMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 400V 86A ISOTOPAPT41F100JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 42A ISOTOPAPT43M60B2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 45A T-MAXAPT40N60JCU3Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 40A SOT227APT40GR120SMicrochip TechnologyIGBT 1200V 88A 500W D3PAK
APT40GT60BRAPTAPT40SM120BPAPT
APT40M70JVRMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 400V 53A SOT227APT40GP90JDQ2Microchip TechnologyIGBT MODULE 900V 64A 284W ISOTOP
APT40GR120B2SCD10Microsemi CorporationIGBT 1200V 88A 500W TO247APT40M35JVFRMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 400V 93A ISOTOPAPT40M35JVRMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 400V 93A SOT227APT40N60JCU2Microchip TechnologyMOSFET N-CH 600V 40A SOT227APT40M75JNMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 400V 56A ISOTOPAPT40GT60BRGMicrochip TechnologyIGBT 600V 80A 345W TO247APT40M75JVRMicrosemiIGBT Module| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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