APT40GR120Sの技術仕様
Microchip Technology - APT40GR120S技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - APT40GR120S仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microchip Technology | |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 1200 V | |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 3.2V @ 15V, 40A | |
| 試験条件 | 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V | |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 22ns/163ns | |
| エネルギーの切り替え | 1.38mJ (on), 906µJ (off) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | D3Pak | |
| シリーズ | - | |
| 電力 - 最大 | 500 W | |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Tube | |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力タイプ | Standard | |
| IGBTタイプ | NPT | |
| ゲートチャージ | 210 nC | |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 160 A | |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 88 A | |
| 基本製品番号 | APT40GR120 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology APT40GR120Sと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | APT40GR120S | APT40GT60BRG | APT40GR120B2D30 | APT40GP90B2DQ2G |
| メーカー | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 1200 V | 600 V | 1200 V | 900 V |
| ゲートチャージ | 210 nC | 200 nC | 210 nC | 145 nC |
| 電力 - 最大 | 500 W | 345 W | 500 W | 543 W |
| 基本製品番号 | APT40GR120 | APT40GT60 | APT40GR120 | APT40GP90 |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 88 A | 80 A | 88 A | 101 A |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 160 A | 160 A | 160 A | 160 A |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 3.2V @ 15V, 40A | 2.5V @ 15V, 40A | 3.2V @ 15V, 40A | 3.9V @ 15V, 40A |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| サプライヤデバイスパッケージ | D3Pak | TO-247 [B] | TO-247-3 | - |
| シリーズ | - | Thunderbolt IGBT® | - | POWER MOS 7® |
| パッケージ/ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 Variant |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| エネルギーの切り替え | 1.38mJ (on), 906µJ (off) | 828µJ (off) | 1.38mJ (on), 906µJ (off) | 795µJ (off) |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 22ns/163ns | 12ns/124ns | 22ns/163ns | 14ns/90ns |
| 試験条件 | 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V | 400V, 40A, 5Ohm, 15V | 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V | 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V |
| IGBTタイプ | NPT | NPT | NPT | PT |
| 入力タイプ | Standard | Standard | Standard | Standard |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
APT40GR120S - Microchip TechnologyのAPT40GR120S PDFデータテーブルとMicrochip Technologyドキュメントをダウンロード
APT40GP60BAPTAPT40GT60BRGMicrochip TechnologyIGBT 600V 80A 345W TO247
APT40GP90JDF2MicrosemiIGBT ModuleAPT40GR120B2D30Microchip TechnologyIGBT 1200V 88A 500W TO247APT40GP90B2DQ2GMicrochip TechnologyIGBT 900V 101A 543W TMAX
APT40GP90JMicrochip TechnologyIGBT MODULE 900V 68A 284W ISOTOPAPT40GR120B2SCD10Microsemi CorporationIGBT 1200V 88A 500W TO247
APT40M70JVFRMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 400V 53A ISOTOPAPT40M35JVFRMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 400V 93A ISOTOPAPT40GT60BRAPTAPT40GP90JDQ2Microchip TechnologyIGBT MODULE 900V 64A 284W ISOTOPAPT40M35JVRMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 400V 93A SOT227APT40M70JVRMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 400V 53A SOT227APT40GP60BGMicrochip TechnologyIGBT 600V 100A 543W TO247APT40M75JNMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 400V 56A ISOTOPAPT40M75JVRMicrosemiIGBT ModuleAPT40GP60JMicrochip TechnologyIGBT 600V 86A 284W SOT227APT40M42JNMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 400V 86A ISOTOP| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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