APT40GR120B2SCD10の技術仕様
Microsemi Corporation - APT40GR120B2SCD10技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrosemi Corporation - APT40GR120B2SCD10仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microsemi | |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 1200 V | |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 3.2V @ 15V, 40A | |
| 試験条件 | 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V | |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 20ns/166ns | |
| エネルギーの切り替え | 929µJ (on), 1070µJ (off) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 | |
| シリーズ | - | |
| 電力 - 最大 | 500 W | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Tube | |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力タイプ | Standard | |
| IGBTタイプ | NPT | |
| ゲートチャージ | 210 nC | |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 160 A | |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 88 A | |
| 基本製品番号 | APT40GR120 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはMicrosemi Corporation APT40GR120B2SCD10と同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | APT40GR120B2SCD10 | APT40GP60BG | APT40GP90B2DQ2G | APT40GR120B2D30 |
| メーカー | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max） | 88 A | 100 A | 101 A | 88 A |
| シリーズ | - | POWER MOS 7® | POWER MOS 7® | - |
| Td（オン/オフ）@ 25℃ | 20ns/166ns | 20ns/64ns | 14ns/90ns | 22ns/163ns |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 | TO-247 [B] | - | TO-247-3 |
| ゲートチャージ | 210 nC | 135 nC | 145 nC | 210 nC |
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） | 1200 V | 600 V | 900 V | 1200 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力タイプ | Standard | Standard | Standard | Standard |
| VGE、Icを@ VCE（上）（最大） | 3.2V @ 15V, 40A | 2.7V @ 15V, 40A | 3.9V @ 15V, 40A | 3.2V @ 15V, 40A |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| 試験条件 | 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V | 400V, 40A, 5Ohm, 15V | 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V | 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V |
| 電力 - 最大 | 500 W | 543 W | 543 W | 500 W |
| 電流 - コレクタパルス（ICM） | 160 A | 160 A | 160 A | 160 A |
| 基本製品番号 | APT40GR120 | APT40GP60 | APT40GP90 | APT40GR120 |
| IGBTタイプ | NPT | PT | PT | NPT |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 Variant | TO-247-3 |
| エネルギーの切り替え | 929µJ (on), 1070µJ (off) | 385µJ (on), 352µJ (off) | 795µJ (off) | 1.38mJ (on), 906µJ (off) |
APT40GR120B2SCD10 - Microsemi CorporationのAPT40GR120B2SCD10 PDFデータテーブルとMicrosemi Corporationドキュメントをダウンロード
APT40GP60BGMicrochip TechnologyIGBT 600V 100A 543W TO247
APT40M70JVRMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 400V 53A SOT227APT40GP60BAPTAPT40GP90B2DQ2GMicrochip TechnologyIGBT 900V 101A 543W TMAX
APT40M75JNMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 400V 56A ISOTOPAPT40GR120B2D30Microchip TechnologyIGBT 1200V 88A 500W TO247APT40M70JVFRMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 400V 53A ISOTOPAPT40GP60JMicrochip TechnologyIGBT 600V 86A 284W SOT227APT40GP90JDQ2Microchip TechnologyIGBT MODULE 900V 64A 284W ISOTOPAPT40M42JNMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 400V 86A ISOTOPAPT40GT60BRGMicrochip TechnologyIGBT 600V 80A 345W TO247APT40M35JVFRMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 400V 93A ISOTOPAPT40M35JVRMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 400V 93A SOT227APT40GF120JRDMicrochip TechnologyIGBT NPT COMBI 1200V 40A ISOTOP
APT40GP90JDF2MicrosemiIGBT ModuleAPT40GP90JMicrochip TechnologyIGBT MODULE 900V 68A 284W ISOTOPAPT40GR120SMicrochip TechnologyIGBT 1200V 88A 500W D3PAKAPT40GT60BRAPT| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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