LND150N3-Gの技術仕様
Microchip Technology - LND150N3-G技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - LND150N3-G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microchip Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-92-3 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1000Ohm @ 500µA, 0V | |
| 電力消費（最大） | 740mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | |
| パッケージ | Bag |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 10 pF @ 25 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | Depletion Mode | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 0V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30mA (Tj) | |
| 基本製品番号 | LND150 |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology LND150N3-Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | LND150N3-G | LND01K1-G | STP40NS15 | LND150K1-G |
| メーカー | Microchip Technology | Microchip Technology | STMicroelectronics | Microchip Technology |
| 基本製品番号 | LND150 | LND01 | STP40N | LND150 |
| Vgs（最大） | ±20V | +0.6V, -12V | ±20V | ±20V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -25°C ~ 125°C (TJ) | 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 0V | 0V | 10V | 0V |
| シリーズ | - | - | MESH OVERLAY™ | - |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-92-3 | SOT-23-5 | TO-220 | SOT-23-3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 30mA (Tj) | 330mA (Tj) | 40A (Tc) | 13mA (Tj) |
| FET特長 | Depletion Mode | Depletion Mode | - | Depletion Mode |
| パッケージ | Bag | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 10 pF @ 25 V | 46 pF @ 5 V | 2400 pF @ 25 V | 10 pF @ 25 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - | - | 4V @ 250µA | - |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1000Ohm @ 500µA, 0V | 1.4Ohm @ 100mA, 0V | 52mOhm @ 40A, 10V | 1000Ohm @ 500µA, 0V |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 9 V | 150 V | 500 V |
| パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | SC-74A, SOT-753 | TO-220-3 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 電力消費（最大） | 740mW (Ta) | 360mW (Ta) | 140W (Tc) | 360mW (Ta) |
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LND01K1-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5STP40NS15STMicroelectronicsMOSFET N-CH 150V 40A TO220ABLND150K1-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
DMN3033LSN-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
FQP16N15Fairchild SemiconductorMOSFET N-CH 150V 16.4A TO220-3
SI3457CDV-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP
IRL3103LInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 64A TO262
LND150N3SUPERTEX
MTB15N06VT4onsemiN-CHANNEL POWER MOSFET
FDS5692ZonsemiMOSFET N-CH 50V 5.8A 8SOIC
IRF640FPSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 200V 18A TO220FP
IXFR24N100IXYSMOSFET N-CH 1KV 22A ISOPLUS247LNDN12N65LONTENHUF75545P3Fairchild SemiconductorN-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
STL210N4F7STMicroelectronicsDISCRETE
LND150N8-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3IRFU2905ZInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 55V 42A IPAK
STW43NM50NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 500V 37A TO247-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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