STW43NM50Nの技術仕様
STMicroelectronics - STW43NM50N技術仕様、属性、パラメーター、およびSTMicroelectronics - STW43NM50N仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | STMicroelectronics | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±25V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 | |
| シリーズ | MDmesh™ II | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 85mOhm @ 18.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 255W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4200 pF @ 50 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 140 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 37A (Tc) | |
| 基本製品番号 | STW43N |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはSTMicroelectronics STW43NM50Nと同様の仕様
| 製品属性 |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | STW43NM50N | STW43NM60ND | STW43N60DM2 | STW42N65M5 |
| メーカー | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 37A (Tc) | 35A (Tc) | 34A (Tc) | 33A (Tc) |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4200 pF @ 50 V | 4300 pF @ 50 V | 2500 pF @ 100 V | 4650 pF @ 100 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| 基本製品番号 | STW43N | STW43N | STW43 | STW42 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 4V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V | 600 V | 600 V | 650 V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 85mOhm @ 18.5A, 10V | 88mOhm @ 17.5A, 10V | 93mOhm @ 17A, 10V | 79mOhm @ 16.5A, 10V |
| シリーズ | MDmesh™ II | FDmesh™ | MDmesh™ DM2 | MDmesh™ V |
| 電力消費（最大） | 255W (Tc) | 255W (Tc) | 250W (Tc) | 190W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
| Vgs（最大） | ±25V | ±25V | ±25V | ±25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 140 nC @ 10 V | 145 nC @ 10 V | 56 nC @ 10 V | 100 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| FET特長 | - | - | - | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
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STW43NM60N 43NM60NSTMicroelectronicsSTW43NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 35A TO247-3STW43NM60N MOSSTMicroelectronicsSTW43N60DM2STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 34A TO247STW40NF20STMicroelectronicsSTW42N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 33A TO247-3STW43NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 35A TO247-3STW40NS15STMicroelectronicsSTW43NM60ND MOSSTMicroelectronicsSTW45N60DM6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 30A TO247STW40N95K5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 950V 38A TO247STW42N65M5 MOSSTMicroelectronicsSTW45N60DM2AGSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 34A TO247STW41411/TSTMicroelectronicsSTW45N65M5STMicroelectronicsMOSFET N-CH 650V 35A TO247
STW4511BHSTM
STW4102IQTSTMicroelectronicsIC BATT MONITOR LI-ION 24QFNSTW40N95K5 MOSSTMicroelectronics| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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