LND01K1-Gの技術仕様
Microchip Technology - LND01K1-G技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - LND01K1-G仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microchip Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - | |
| Vgs（最大） | +0.6V, -12V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-5 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.4Ohm @ 100mA, 0V | |
| 電力消費（最大） | 360mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | SC-74A, SOT-753 | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -25°C ~ 125°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 46 pF @ 5 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | Depletion Mode | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 0V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 9 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 330mA (Tj) | |
| 基本製品番号 | LND01 |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology LND01K1-Gと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | LND01K1-G | STP75NF75 | IXFX150N15 | IXFA22N65X2 |
| メーカー | Microchip Technology | STMicroelectronics | IXYS | IXYS |
| 基本製品番号 | LND01 | STP75 | IXFX150 | IXFA22 |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-23-5 | TO-220 | PLUS247™-3 | TO-263HV |
| Vgs（最大） | +0.6V, -12V | ±20V | ±20V | ±30V |
| 装着タイプ | Surface Mount | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.4Ohm @ 100mA, 0V | 11mOhm @ 40A, 10V | 12.5mOhm @ 75A, 10V | 160mOhm @ 11A, 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube | Tube |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 330mA (Tj) | 80A (Tc) | 150A (Tc) | 22A (Tc) |
| パッケージ/ケース | SC-74A, SOT-753 | TO-220-3 | TO-247-3 Variant | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 運転温度 | -25°C ~ 125°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 0V | 10V | 10V | 10V |
| 電力消費（最大） | 360mW (Ta) | 300W (Tc) | 560W (Tc) | 390W (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | - | 4V @ 250µA | 4V @ 8mA | 5.5V @ 1.5mA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 9 V | 75 V | 150 V | 650 V |
| シリーズ | - | STripFET™ II | HiPerFET™ | HiPerFET™, Ultra X2 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 46 pF @ 5 V | 3700 pF @ 25 V | 9100 pF @ 25 V | 2310 pF @ 25 V |
| FET特長 | Depletion Mode | - | - | - |
LND01K1-G - Microchip TechnologyのLND01K1-G PDFデータテーブルとMicrochip Technologyドキュメントをダウンロード
STP75NF75STMicroelectronicsMOSFET N-CH 75V 80A TO220ABIXFX150N15IXYSMOSFET N-CH 150V 150A PLUS247
LNDN12N65LONTENIXFA22N65X2IXYSMOSFET N-CH 650V 22A TO263
NTD2955T4GonsemiMOSFET P-CH 60V 12A DPAK
LND150N3-G-P003MicrochipLND150N8GMicrochipLND12N65LONTEN
DMN3033LDM-7Diodes IncorporatedMOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26LND250K1-GMicrochipLND-300H/200BNAIGBT Module
LND150N3-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3LND150N3SUPERTEX
APT51M50JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 51A ISOTOP
R6020JNXC7GRohm SemiconductorMOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
IRFP2907ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 90A TO247ACLND150K1-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3
LND150N8-GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。