APT8M100Bの技術仕様
Microchip Technology - APT8M100B技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrochip Technology - APT8M100B仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microchip Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±30V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 [B] | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.8Ohm @ 4A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 290W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1885 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 60 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Tc) | |
| 基本製品番号 | APT8M100 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 1 (Unlimited) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはMicrochip Technology APT8M100Bと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | APT8M100B | APT97N65LC6 | APT80SM120B | APT80M60J |
| メーカー | Microchip Technology | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microchip Technology |
| 基本製品番号 | APT8M100 | APT97N65 | - | APT80M60 |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| シリーズ | - | CoolMOS™ | - | POWER MOS 8™ |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-264-3, TO-264AA | TO-247-3 | SOT-227-4, miniBLOC |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 [B] | TO-264 [L] | TO-247 | ISOTOP® |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1885 pF @ 25 V | 7650 pF @ 25 V | - | 24000 pF @ 25 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | SiCFET (Silicon Carbide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 1mA | 3.5V @ 2.96mA | 2.5V @ 1mA | 5V @ 5mA |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 1.8Ohm @ 4A, 10V | 41mOhm @ 48.5A, 10V | 55mOhm @ 40A, 20V | 55mOhm @ 60A, 10V |
| 電力消費（最大） | 290W (Tc) | 862W (Tc) | 555W (Tc) | 960W (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 20V | 10V |
| パッケージ | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 60 nC @ 10 V | 300 nC @ 10 V | 235 nC @ 20 V | 600 nC @ 10 V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Chassis Mount |
| Vgs（最大） | ±30V | ±20V | +25V, -10V | ±30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Tc) | 97A (Tc) | 80A (Tc) | 84A (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1000 V | 650 V | 1200 V | 600 V |
APT8M100B - Microchip TechnologyのAPT8M100B PDFデータテーブルとMicrochip Technologyドキュメントをダウンロード
APT8L16NHAPTAPT85GR120JR60APTIGBT Module
APT85GR120LMicrochip TechnologyIGBT 1200V 170A 962W TO264APT80GP60JDF3APTIGBT ModuleAPT97N65LC6Microsemi CorporationMOSFET N-CH 650V 97A TO264APT80SM120BMicrosemi CorporationSICFET N-CH 1200V 80A TO247APT8L16VHAPTCHIPAPT80M60JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 84A ISOTOP
APT80GP60JDQ3Microchip TechnologyIGBT 600V 151A 462W SOT227APT9F100BMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 9A TO247APT94N60L2C3APTAPT94N65B2C3G MOSMicrosemiAPT90GF90JNMicrosemiIGBT ModuleAPT94N60L2C3GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 94A 264 MAXAPT9M100BMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 9A TO247APT97H50JAPTIGBT Module
APT8DQ60KGMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 8A TO220APT94N65B2C3GMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 650V 94A T-MAX| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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