APT80SM120Bの技術仕様
Microsemi Corporation - APT80SM120B技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrosemi Corporation - APT80SM120B仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | +25V, -10V | |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 55mOhm @ 40A, 20V | |
| 電力消費（最大） | 555W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| パッケージ | Bulk | |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 235 nC @ 20 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 20V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) |
右側の三つのパーツはMicrosemi Corporation APT80SM120Bと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | APT80SM120B | APT94N60L2C3G | APT94N65B2C3G | APT8075BN |
| メーカー | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation |
| Vgs（最大） | +25V, -10V | ±20V | ±20V | ±30V |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 20V | 10V | 10V | 10V |
| パッケージ/ケース | TO-247-3 | TO-264-3, TO-264AA | TO-247-3 Variant | TO-247-3 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | 3.9V @ 5.4mA | 3.9V @ 5.8mA | 4V @ 1mA |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 1200 V | 600 V | 650 V | 800 V |
| シリーズ | - | - | CoolMOS™ | POWER MOS IV® |
| 電力消費（最大） | 555W (Tc) | 833W (Tc) | 833W (Tc) | 310W (Tc) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 80A (Tc) | 94A (Tc) | 94A (Tc) | 13A (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 235 nC @ 20 V | 640 nC @ 10 V | 580 nC @ 10 V | 130 nC @ 10 V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| パッケージ | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 55mOhm @ 40A, 20V | 35mOhm @ 60A, 10V | 35mOhm @ 47A, 10V | 750mOhm @ 6.5A, 10V |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-247 | 264 MAX™ [L2] | T-MAX™ [B2] | TO-247AD |
| 技術 | SiCFET (Silicon Carbide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
APT80SM120B - Microsemi CorporationのAPT80SM120B PDFデータテーブルとMicrosemi Corporationドキュメントをダウンロード
APT85GR120LMicrochip TechnologyIGBT 1200V 170A 962W TO264APT8065BVRAPTAPT94N60L2C3GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 94A 264 MAX
APT80GP60JMicrochip TechnologyIGBT MOD 600V 151A 462W ISOTOPAPT8075BVRGAPTAPT80GP60JDF3APTIGBT ModuleAPT94N65B2C3GMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 650V 94A T-MAXAPT80GP60JDQ3Microchip TechnologyIGBT 600V 151A 462W SOT227APT8L16NHAPTAPT80GP60JDFAPTAPT8075BNMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 800V 13A TO247ADAPT94N60L2C3APT
APT80M60JMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 84A ISOTOPAPT8065BVFRAPTAPT8075BNRAPTAPT8L16VHAPTCHIP
APT8DQ60KGMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 8A TO220APT8M100BMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 8A TO247| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。