APT97N65LC6の技術仕様
Microsemi Corporation - APT97N65LC6技術仕様、属性、パラメーター、およびMicrosemi Corporation - APT97N65LC6仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Microsemi | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 2.96mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-264 [L] | |
| シリーズ | CoolMOS™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 41mOhm @ 48.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 862W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-264-3, TO-264AA | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7650 pF @ 25 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 300 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 97A (Tc) | |
| 基本製品番号 | APT97N65 |
右側の三つのパーツはMicrosemi Corporation APT97N65LC6と同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | APT97N65LC6 | APT9F100B | APT94N65B2C3G | APT94N60L2C3G |
| メーカー | Microsemi Corporation | Microchip Technology | Microsemi Corporation | Microchip Technology |
| パッケージ | Tube | Tube | Tube | Tube |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7650 pF @ 25 V | 2606 pF @ 25 V | 13940 pF @ 25 V | 13600 pF @ 25 V |
| 装着タイプ | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| パッケージ/ケース | TO-264-3, TO-264AA | TO-247-3 | TO-247-3 Variant | TO-264-3, TO-264AA |
| 基本製品番号 | APT97N65 | APT9F100 | APT94N65 | APT94N60 |
| 電力消費（最大） | 862W (Tc) | 337W (Tc) | 833W (Tc) | 833W (Tc) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.5V @ 2.96mA | 5V @ 1mA | 3.9V @ 5.8mA | 3.9V @ 5.4mA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 300 nC @ 10 V | 80 nC @ 10 V | 580 nC @ 10 V | 640 nC @ 10 V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V | 10V | 10V | 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 650 V | 1000 V | 650 V | 600 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-264 [L] | TO-247 [B] | T-MAX™ [B2] | 264 MAX™ [L2] |
| FET特長 | - | - | - | - |
| Vgs（最大） | ±20V | ±30V | ±20V | ±20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 97A (Tc) | 9A (Tc) | 94A (Tc) | 94A (Tc) |
| シリーズ | CoolMOS™ | POWER MOS 8™ | CoolMOS™ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 41mOhm @ 48.5A, 10V | 1.6Ohm @ 5A, 10V | 35mOhm @ 47A, 10V | 35mOhm @ 60A, 10V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
APT97N65LC6 - Microsemi CorporationのAPT97N65LC6 PDFデータテーブルとMicrosemi Corporationドキュメントをダウンロード
APTB1612-CHS99KingbrightAPTB1612-EF92KingbrightAPT94N60L2C3APTAPT94N65B2C3G MOSMicrosemiAPTB1612-WMX92KINGBRIGHAPTB1612-CC36KingbrightAPT8L16VHAPTCHIPAPTB1612PBSYKCF01HP8KINGBRIGHAPT9F100BMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 9A TO247APT94N65B2C3GMicrosemi CorporationMOSFET N-CH 650V 94A T-MAX
APT8DQ60KGMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 8A TO220APT94N60L2C3GMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 600V 94A 264 MAXAPT8M100BMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 8A TO247APT8L16NHAPTAPT90GF90JNMicrosemiIGBT ModuleAPT9M100BMicrochip TechnologyMOSFET N-CH 1000V 9A TO247APTB1612-CHS28KingbrightAPTB1612NSGCKingbright| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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