CSD19505KCSの技術仕様
Texas Instruments - CSD19505KCS技術仕様、属性、パラメーター、およびTexas Instruments - CSD19505KCS仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Texas Instruments | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
| シリーズ | NexFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.8mOhm @ 100A, 6V | |
| 電力消費（最大） | 300W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | |
| パッケージ | Tube |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Through Hole | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7820 pF @ 40 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 76 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 80 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 150A (Ta) | |
| 基本製品番号 | CSD19505 |
右側の三つのパーツはTexas Instruments CSD19505KCSと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | CSD19505KCS | CSD18542KTT | CSD19531Q5AT | CSD18543Q3A |
| メーカー | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 76 nC @ 10 V | 57 nC @ 10 V | 48 nC @ 10 V | 14.5 nC @ 10 V |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 3.3V @ 250µA | 2.7V @ 250µA |
| パッケージ/ケース | TO-220-3 | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA | 8-PowerTDFN | 8-PowerVDFN |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 80 V | 60 V | 100 V | 60 V |
| FET特長 | - | - | - | Standard |
| 基本製品番号 | CSD19505 | CSD18542 | CSD19531 | CSD18543 |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220-3 | DDPAK/TO-263-3 | 8-VSONP (5x6) | 8-VSONP (3x3.15) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 150A (Ta) | 200A (Ta) | 100A (Ta) | 60A (Tc) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 7820 pF @ 40 V | 5070 pF @ 30 V | 3870 pF @ 50 V | 1150 pF @ 30 V |
| シリーズ | NexFET™ | NexFET™ | NexFET™ | NexFET™ |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 装着タイプ | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | 4.5V, 10V | 6V, 10V | 4.5V, 10V |
| 電力消費（最大） | 300W (Tc) | 250W (Tc) | 3.3W (Ta), 125W (Tc) | 66W (Tc) |
| パッケージ | Tube | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.8mOhm @ 100A, 6V | 4mOhm @ 100A, 10V | 6.4mOhm @ 16A, 10V | 9.9mOhm @ 12A, 10V |
CSD19505KCS - Texas InstrumentsのCSD19505KCS PDFデータテーブルとTexas Instrumentsドキュメントをダウンロード
CSD18542KTTTexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 200A DDPAKCSD19531Q5ATTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 100A 8VSONCSD18543Q3ATexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 60A 8VSONCSD19532Q5BTTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 100A 8VSONCSD19532Q5BTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 100A 8VSONCSD19505KTTTexas InstrumentsMOSFET N-CH 80V 200A DDPAKCSD19531Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 100A 8VSONCSD19506KTTTexas InstrumentsMOSFET N-CH 80V 200A DDPAKCSD19531KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 100A TO220-3CSD18543Q3ATTexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSONCSD19502Q5BTexas InstrumentsMOSFET N-CH 80V 100A 8VSONCSD19506KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 80V 100A TO220-3CSD18563Q5ATTexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 100A 8VSONCSD19501KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 80V 100A TO220-3CSD18563Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 100A 8VSONCSD19532KTTTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 200A DDPAKCSD19502Q5BTTexas InstrumentsMOSFET N-CH 80V 100A 8VSONCSD18542KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 200A TO220-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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