CSD19506KTTの技術仕様
Texas Instruments - CSD19506KTT技術仕様、属性、パラメーター、およびTexas Instruments - CSD19506KTT仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Texas Instruments | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DDPAK/TO-263-3 | |
| シリーズ | NexFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.3mOhm @ 100A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 375W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 12200 pF @ 40 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 156 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 80 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200A (Ta) | |
| 基本製品番号 | CSD19506 |
右側の三つのパーツはTexas Instruments CSD19506KTTと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | CSD19506KTT | CSD19532Q5BT | CSD19506KCS | CSD19502Q5B |
| メーカー | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 375W (Tc) | 3.1W (Ta), 195W (Tc) | 375W (Tc) | 3.1W (Ta), 195W (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 6V, 10V | 6V, 10V | 6V, 10V | 6V, 10V |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| シリーズ | NexFET™ | NexFET™ | NexFET™ | NexFET™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 2.3mOhm @ 100A, 10V | 4.9mOhm @ 17A, 10V | 2.3mOhm @ 100A, 10V | 4.1mOhm @ 19A, 10V |
| パッケージ/ケース | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA | 8-PowerTDFN | TO-220-3 | 8-PowerTDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | DDPAK/TO-263-3 | 8-VSON-CLIP (5x6) | TO-220-3 | 8-VSON-CLIP (5x6) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200A (Ta) | 100A (Ta) | 100A (Ta) | 100A (Ta) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 3.2V @ 250µA | 3.2V @ 250µA | 3.2V @ 250µA | 3.3V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 156 nC @ 10 V | 62 nC @ 10 V | 156 nC @ 10 V | 62 nC @ 10 V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 12200 pF @ 40 V | 4810 pF @ 50 V | 12200 pF @ 40 V | 4870 pF @ 40 V |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 80 V | 100 V | 80 V | 80 V |
| 基本製品番号 | CSD19506 | CSD19532 | CSD19506 | CSD19502 |
CSD19532Q5BTTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 100A 8VSONCSD19506KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 80V 100A TO220-3CSD19502Q5BTexas InstrumentsMOSFET N-CH 80V 100A 8VSONCSD19502Q5BTTexas InstrumentsMOSFET N-CH 80V 100A 8VSONCSD19531Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 100A 8VSONCSD19533KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 100A TO220-3CSD19531Q5ATTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 100A 8VSONCSD19505KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 80V 150A TO220-3CSD19532KTTTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 200A DDPAKCSD19505KTTTexas InstrumentsMOSFET N-CH 80V 200A DDPAKCSD19533Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 100A 8VSONCSD19531KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 100A TO220-3CSD19532Q5B MOSTexas InstrumentsCSD18563Q5ATTexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 100A 8VSONCSD19532Q5BTexas InstrumentsMOSFET N-CH 100V 100A 8VSONCSD18543Q3ATTexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSONCSD18563Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 100A 8VSONCSD19501KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 80V 100A TO220-3| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
より良い価格が欲しいですか？ をとに追加して、すぐにお問い合わせを送信すると、すぐにお客様に連絡します。