CSD18542KTTの技術仕様
Texas Instruments - CSD18542KTT技術仕様、属性、パラメーター、およびTexas Instruments - CSD18542KTT仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | Texas Instruments | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 250µA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | DDPAK/TO-263-3 | |
| シリーズ | NexFET™ | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4mOhm @ 100A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 250W (Tc) | |
| パッケージ/ケース | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5070 pF @ 30 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 57 nC @ 10 V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200A (Ta) | |
| 基本製品番号 | CSD18542 |
| 属性 | 説明 |
|---|---|
| RoHS ステータス | |
| 湿度感度レベル（MSL） | 2 (1 Year) |
| 州に到達します | REACH Unaffected |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS |
右側の三つのパーツはTexas Instruments CSD18542KTTと同様の仕様
| 製品属性 |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | CSD18542KTT | CSD18541F5 | CSD18542KCS | CSD18541F5T |
| メーカー | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 基本製品番号 | CSD18542 | CSD18541 | CSD18542 | CSD18541 |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 200A (Ta) | 2.2A (Ta) | 200A (Ta) | 2.2A (Ta) |
| FETタイプ | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| サプライヤデバイスパッケージ | DDPAK/TO-263-3 | 3-PICOSTAR | TO-220-3 | 3-PICOSTAR |
| パッケージ/ケース | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA | 3-SMD, No Lead | TO-220-3 | 3-SMD, No Lead |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V |
| 電力消費（最大） | 250W (Tc) | 500mW (Ta) | 200W (Tc) | 500mW (Ta) |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 57 nC @ 10 V | 14 nC @ 10 V | 57 nC @ 10 V | 14 nC @ 10 V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 5070 pF @ 30 V | 777 pF @ 30 V | 5070 pF @ 30 V | 777 pF @ 30 V |
| シリーズ | NexFET™ | FemtoFET™ | NexFET™ | FemtoFET™ |
| 運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4mOhm @ 100A, 10V | 65mOhm @ 1A, 10V | 44mOhm @ 100A, 10V | 65mOhm @ 1A, 10V |
| FET特長 | - | - | - | - |
CSD18541F5Texas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTARCSD18542KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 200A TO220-3CSD18541F5TTexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 2.2A 3PICOSTARCSD19501KCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 80V 100A TO220-3CSD18536KTTTTexas InstrumentsCSD18537NKCSTexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 50A TO220-3CSD18543Q3ATexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 60A 8VSONCSD18537NQ5ATexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 50A 8VSONCSD18540Q5BTTexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 100A 8VSONCSD18563Q5ATTexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 100A 8VSONCSD18563Q5ATexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 100A 8VSONCSD18543Q3ATTexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSONCSD18542KTTTTexas InstrumentsCSD19502Q5BTexas InstrumentsMOSFET N-CH 80V 100A 8VSONCSD18537NQ5ATTexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 50A 8VSONCSD19502Q5Texas InstrumentsCSD19502Q5BTTexas InstrumentsMOSFET N-CH 80V 100A 8VSONCSD18540Q5BTexas InstrumentsMOSFET N-CH 60V 100A 8VSON| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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