RRL025P03TRの技術仕様
Rohm Semiconductor - RRL025P03TR技術仕様、属性、パラメーター、およびRohm Semiconductor - RRL025P03TR仕様に似たパーツ
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| メーカー | LAPIS Technology | |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | |
| Vgs（最大） | ±20V | |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | |
| サプライヤデバイスパッケージ | TUMT6 | |
| シリーズ | - | |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 75mOhm @ 2.5A, 10V | |
| 電力消費（最大） | 320mW (Ta) | |
| パッケージ/ケース | 6-SMD, Flat Leads | |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 | |
|---|---|---|
| 運転温度 | 150°C (TJ) | |
| 装着タイプ | Surface Mount | |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 480 pF @ 10 V | |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 5.2 nC @ 5 V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| FET特長 | - | |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 10V | |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.5A (Ta) | |
| 基本製品番号 | RRL025 |
右側の三つのパーツはRohm Semiconductor RRL025P03TRと同様の仕様
| 製品属性 |  |
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 |
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|---|---|---|---|---|
| 部品型番 | RRL025P03TR | HUFA76429D3S | IRFU3607PBF | IRFS7787PBF |
| メーカー | Rohm Semiconductor | onsemi | Infineon Technologies | International Rectifier |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 480 pF @ 10 V | 1480 pF @ 25 V | 3070 pF @ 50 V | 4020 pF @ 25 V |
| 基本製品番号 | RRL025 | HUFA76 | IRFU3607 | - |
| 装着タイプ | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole | Surface Mount |
| FETタイプ | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4V, 10V | 4.5V, 10V | 10V | - |
| Vgs（最大） | ±20V | ±16V | ±20V | ±20V |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 75mOhm @ 2.5A, 10V | 23mOhm @ 20A, 10V | 9mOhm @ 46A, 10V | 8.4mOhm @ 46A, 10V |
| パッケージ/ケース | 6-SMD, Flat Leads | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| FET特長 | - | - | - | - |
| 電力消費（最大） | 320mW (Ta) | 110W (Tc) | 140W (Tc) | 125W (Tc) |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 2.5A (Ta) | 20A (Tc) | 56A (Tc) | 76A (Tc) |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V | 60 V | 75 V | 75 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 5.2 nC @ 5 V | 46 nC @ 10 V | 84 nC @ 10 V | 109 nC @ 10 V |
| シリーズ | - | UltraFET™ | HEXFET® | HEXFET® |
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.5V @ 1mA | 3V @ 250µA | 4V @ 100µA | 3.7V @ 100µA |
| 運転温度 | 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) | Tube | Tube | Bulk |
| サプライヤデバイスパッケージ | TUMT6 | TO-252AA | IPAK (TO-251AA) | PG-TO263-3-2 |
RRL025P03TR - Rohm SemiconductorのRRL025P03TR PDFデータテーブルとRohm Semiconductorドキュメントをダウンロード
HUFA76429D3SonsemiMOSFET N-CH 60V 20A TO252AAIRFU3607PBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 75V 56A IPAKIRFS7787PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 75V 76A TO263-3-2
ISL9N310AD3STFairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFETFDD14AN06LA0onsemiMOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AA
RRL035P03LAPIS Technology
IRLL3303TRInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
ATP102-TL-HSanyoP-CHANNEL SILICON MOSFET GENERAL
DMG7401SFG-13Diodes IncorporatedMOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
NTHD3101FT1GonsemiMOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
IRF2903ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
IXFB72N55Q2IXYSMOSFET N-CH 550V 72A PLUS264FQPF65N06Fairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4HUF75925D3STFairchild SemiconductorMOSFET N-CH 200V 11A TO252AAIXTQ86N25TIXYSMOSFET N-CH 250V 86A TO3PRRL035P03TRRohm SemiconductorMOSFET P-CH 30V 3.5A TUMT6
AO3415AAlpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET P-CH 20V 5A SOT23-3LRRL025P03/TRLAPIS Technology| 一般的な国のロジスティック時間参照 | ||
|---|---|---|
| 地域 | 国 | ロジスティック時間（日） |
| アメリカ | アメリカ | 5 |
| ブラジル | 7 | |
| ヨーロッパ | ドイツ | 5 |
| イギリス | 4 | |
| イタリア | 5 | |
| オセアニア | オーストラリア | 6 |
| ニュージーランド | 5 | |
| アジア | インド | 4 |
| 日本 | 4 | |
| 中東 | イスラエル | 6 |
| DHLおよびFEDEXの発送料のリファレンス | |
|---|---|
| 発送料（kg） | 参照DHL（USD $） |
| 0.00kg-1.00kg | USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg | USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg | USD$50.00 - USD$100.00 |
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